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公开(公告)号:CN116917715A
公开(公告)日:2023-10-20
申请号:CN202280018258.7
申请日:2022-02-25
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor: A·玛纳森 , I·萨利布 , R·约哈南 , D·沙皮罗乌 , E·哈贾 , V·莱温斯基 , A·阿布拉莫夫 , M·申迪思 , A·希尔德斯海姆 , Y·格劳尔 , S·艾森巴赫 , E·拉维特 , I·尼尔
IPC: G01N21/35
Abstract: 一种光学计量工具可包含:一或多个照射源,其用以产生既具有短波红外线(SWIR)光谱范围内又具有所述SWIR光谱范围外的波长的照射;照射光学器件,其经配置以将所述照射引导到样本;第一成像通道,其包含经配置以基于包含所述SWIR光谱范围中的至少一些波长的第一波长范围将所述样本成像的第一检测器;第二成像通道,其包含经配置以基于包含所述SWIR光谱范围外的至少一些波长的第二波长范围将所述样本成像的第二检测器;及控制器。所述控制器可从所述第一检测器接收所述样本的第一图像,从所述第二检测器接收所述样本的第二图像,并基于所述第一图像及所述第二图像来产生所述样本的光学计量测量。
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公开(公告)号:CN118435024A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202380015205.4
申请日:2023-03-28
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G01B11/27 , G01N21/88 , G01N21/956 , H01L21/66
Abstract: 一种计量系统包含成像系统。所述成像系统可包含物镜。所述计量系统可包含一或多个检测器。所述计量系统可包含结构上耦合到所述物镜且经配置以经由沿所述计量系统的光轴移动来调整所述一或多个检测器中的至少一者的焦平面的物镜定位载台。所述计量系统可包含经配置以当所述物镜定位载台沿所述光轴移动时测量载台元件的侧向位置的一或多个接近传感器。所述计量系统可经配置以当实施计量配方时使用所述载台元件的图像及侧向位置来确定与样本上的目标相关联的计量测量。
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公开(公告)号:CN116997863B
公开(公告)日:2024-05-24
申请号:CN202180094683.X
申请日:2021-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种产品,其包含:至少一个半导体衬底;多个薄膜层,其安置于所述至少一个衬底上;及叠加目标,其形成于所述薄膜层中的至少一者中。所述叠加目标包含:第一子目标,其具有第一对称中心且包含具有第一线宽的第一目标特征;及第二子目标,其具有与所述第一对称中心重合的第二对称中心且包含第二目标特征,所述第二目标特征具有大于所述第一线宽的第二线宽,且与所述第一目标特征邻近但不重叠。
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公开(公告)号:CN115485824B
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202080100419.8
申请日:2020-05-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L23/544
Abstract: 一种用于测量半导体装置的层之间的偏移的计量目标包含:第一目标结构,其经放置于半导体装置的第一层上,所述第一目标结构包含分别定位于所述第一目标结构的至少四个区中的第一多个整体元件,所述第一多个元件相对于第一对称中心旋转对称;及至少第二目标结构,其经放置于所述半导体装置的至少第二层上,所述第二目标结构包含分别定位于所述第二目标结构的至少四个区中的第二多个元件,所述第二多个元件相对于第二对称中心旋转对称,当所述第一及第二层彼此上下放置时,所述第二对称中心经设计成与所述第一对称中心轴向对准且所述第二多个元件中的对应者呈非环绕布置与所述第一多个元件中的对应者相邻地定位于所述至少四个区中。
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公开(公告)号:CN116997863A
公开(公告)日:2023-11-03
申请号:CN202180094683.X
申请日:2021-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种产品,其包含:至少一个半导体衬底;多个薄膜层,其安置于所述至少一个衬底上;及叠加目标,其形成于所述薄膜层中的至少一者中。所述叠加目标包含:第一子目标,其具有第一对称中心且包含具有第一线宽的第一目标特征;及第二子目标,其具有与所述第一对称中心重合的第二对称中心且包含第二目标特征,所述第二目标特征具有大于所述第一线宽的第二线宽,且与所述第一目标特征邻近但不重叠。
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公开(公告)号:CN119301421A
公开(公告)日:2025-01-10
申请号:CN202380042930.0
申请日:2023-07-21
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 公开用于产生体积数据的系统及方法。此类系统及方法能够包含在沿样本的深度方向定位的多个焦平面处扫描所述样本。此类系统及方法能够包含经由度量衡子系统的检测器在所述多个焦平面处产生所述样本的体积视场的多个图像。此类系统及方法能够包含聚集所述多个图像以产生所述样本的所述体积视场的体积数据。所述度量衡子系统能够包含林尼克干涉仪。
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公开(公告)号:CN115485824A
公开(公告)日:2022-12-16
申请号:CN202080100419.8
申请日:2020-05-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L23/544
Abstract: 一种用于测量半导体装置的层之间的偏移的计量目标包含:第一目标结构,其经放置于半导体装置的第一层上,所述第一目标结构包含分别定位于所述第一目标结构的至少四个区中的第一多个整体元件,所述第一多个元件相对于第一对称中心旋转对称;及至少第二目标结构,其经放置于所述半导体装置的至少第二层上,所述第二目标结构包含分别定位于所述第二目标结构的至少四个区中的第二多个元件,所述第二多个元件相对于第二对称中心旋转对称,当所述第一及第二层彼此上下放置时,所述第二对称中心经设计成与所述第一对称中心轴向对准且所述第二多个元件中的对应者呈非环绕布置与所述第一多个元件中的对应者相邻地定位于所述至少四个区中。
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