根据工艺变化的计量测量参数的快速调整

    公开(公告)号:CN111052328A

    公开(公告)日:2020-04-21

    申请号:CN201880052694.X

    申请日:2018-04-05

    Abstract: 本发明提供计量模块及工具中可应用的方法,其实现相对于工艺变化调整计量测量参数而不重启计量配方设置。方法包括:在初始计量配方设置期间,记录计量过程窗且从其导出基线信息;及在操作期间,相对于所述基线信息量化所述工艺变化,且相对于所述经量化工艺变化调整所述计量过程窗内的所述计量测量参数。计量参数的快速调整避免计量相关过程延迟且释放与所述延迟相关的现有技术瓶颈。各种工艺变化因素对计量测量的效应的模型可用于增强所需计量调谐的导出且实现其以最小延迟应用于生产过程。

    使用多个波长的叠加测量

    公开(公告)号:CN111801622B

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN201880090659.7

    申请日:2018-09-03

    Abstract: 一种在半导体晶片制造过程中确定图案中的OVL的方法包括从经形成于所述晶片中的至少两个不同层中的计量目标中的单元捕获图像,其中所述目标的部分相对于不同层中的对应部分在相反方向上偏移。可使用多个不同波长的辐射来捕获所述图像,每一图像包含+1及‑1衍射图案。通过从所述多个波长中的每一者的+1及‑1衍射级减去相对像素,可为每一图像中的相应像素确定第一差分信号及第二差分信号。可基于同时分析来自多个波长的所述差分信号来确定用于所述相应像素的OVL。接着可将用于所述图案的OVL确定为所述相应像素的所述OVL的加权平均值。所述加权可根据所述OVL对波长变化的灵敏度。

    根据工艺变化的计量测量参数的快速调整

    公开(公告)号:CN111052328B

    公开(公告)日:2021-08-03

    申请号:CN201880052694.X

    申请日:2018-04-05

    Abstract: 本发明提供计量模块及工具中可应用的方法,其实现相对于工艺变化调整计量测量参数而不重启计量配方设置。方法包括:在初始计量配方设置期间,记录计量过程窗且从其导出基线信息;及在操作期间,相对于所述基线信息量化所述工艺变化,且相对于所述经量化工艺变化调整所述计量过程窗内的所述计量测量参数。计量参数的快速调整避免计量相关过程延迟且释放与所述延迟相关的现有技术瓶颈。各种工艺变化因素对计量测量的效应的模型可用于增强所需计量调谐的导出且实现其以最小延迟应用于生产过程。

    使用量子计算的具有动态采样计划、优化晶片测量路径及优化晶片运输的制造厂管理

    公开(公告)号:CN114144867B

    公开(公告)日:2025-05-02

    申请号:CN201980098179.X

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 本发明提供优化制造厂中的晶片运输及计量测量的系统及方法。方法包括:导出并更新提供晶片特定测量位点及状况的动态采样计划;导出对应于所述动态采样计划的所述晶片的计量测量的优化晶片测量路径;管理通过所述制造厂的FOUP(前开式晶片传送盒)运输,从而将晶片运输到测量工具,同时在将所述FOUP与所述相应晶片运输到所述相应测量工具之前或时,将所述动态采样计划及所述晶片测量路径提供到所述相应测量工具;及由所述相应测量工具根据所述经导出晶片测量路径来实行所述相应晶片的计量及/或检验测量。量子计算资源可用于解决对应特定优化问题,以减少所需时间、改进计算解决方案并改进制造厂合格率以及所生产晶片的准确性。

    叠加计量中的参考图像分组

    公开(公告)号:CN117980830B

    公开(公告)日:2025-04-04

    申请号:CN202380013706.9

    申请日:2023-02-02

    Abstract: 一种叠加计量系统可包含控制器,所述控制器:用于接收与一或多个样本上的多个叠加目标相关联的计量数据;基于所述计量数据产生所述多个叠加目标中的至少一些的参考度量,其中所述参考度量与促成叠加误差的所述相应叠加目标的一或多个性质相关联;基于针对所述多个叠加目标计算的所述参考度量将所述多个叠加目标分类成一或多个群组;产生用于所述一或多个群组中的至少一些的参考图像;使用用于所述一或多个群组中的至少一些的所述相关联参考图像产生经校正计量数据;及基于所述经校正计量数据产生所述多个叠加目标的叠加测量。

    使用量子计算的具有动态采样计划、优化晶片测量路径及优化晶片运输的制造厂管理

    公开(公告)号:CN114144867A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN201980098179.X

    申请日:2019-07-05

    Abstract: 本发明提供优化制造厂中的晶片运输及计量测量的系统及方法。方法包括:导出并更新提供晶片特定测量位点及状况的动态采样计划;导出对应于所述动态采样计划的所述晶片的计量测量的优化晶片测量路径;管理通过所述制造厂的FOUP(前开式晶片传送盒)运输,从而将晶片运输到测量工具,同时在将所述FOUP与所述相应晶片运输到所述相应测量工具之前或时,将所述动态采样计划及所述晶片测量路径提供到所述相应测量工具;及由所述相应测量工具根据所述经导出晶片测量路径来实行所述相应晶片的计量及/或检验测量。量子计算资源可用于解决对应特定优化问题,以减少所需时间、改进计算解决方案并改进制造厂合格率以及所生产晶片的准确性。

    叠加计量中的参考图像分组

    公开(公告)号:CN117980830A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202380013706.9

    申请日:2023-02-02

    Abstract: 一种叠加计量系统可包含控制器,所述控制器:用于接收与一或多个样本上的多个叠加目标相关联的计量数据;基于所述计量数据产生所述多个叠加目标中的至少一些的参考度量,其中所述参考度量与促成叠加误差的所述相应叠加目标的一或多个性质相关联;基于针对所述多个叠加目标计算的所述参考度量将所述多个叠加目标分类成一或多个群组;产生用于所述一或多个群组中的至少一些的参考图像;使用用于所述一或多个群组中的至少一些的所述相关联参考图像产生经校正计量数据;及基于所述经校正计量数据产生所述多个叠加目标的叠加测量。

    使用多个波长的叠加测量

    公开(公告)号:CN111801622A

    公开(公告)日:2020-10-20

    申请号:CN201880090659.7

    申请日:2018-09-03

    Abstract: 一种在半导体晶片制造过程中确定图案中的OVL的方法包括从经形成于所述晶片中的至少两个不同层中的计量目标中的单元捕获图像,其中所述目标的部分相对于不同层中的对应部分在相反方向上偏移。可使用多个不同波长的辐射来捕获所述图像,每一图像包含+1及‑1衍射图案。通过从所述多个波长中的每一者的+1及‑1衍射级减去相对像素,可为每一图像中的相应像素确定第一差分信号及第二差分信号。可基于同时分析来自多个波长的所述差分信号来确定用于所述相应像素的OVL。接着可将用于所述图案的OVL确定为所述相应像素的所述OVL的加权平均值。所述加权可根据所述OVL对波长变化的灵敏度。

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