公开(公告)号：CN116997863B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202180094683.X

申请日：2021-08-10

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： E·哈贾 ,  A·玛纳森 ,  S·艾森巴赫 ,  A·戈洛塔斯万 ,  Y·格劳尔 ,  E·马斯洛夫斯基

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/66

Abstract: 一种产品，其包含：至少一个半导体衬底；多个薄膜层，其安置于所述至少一个衬底上；及叠加目标，其形成于所述薄膜层中的至少一者中。所述叠加目标包含：第一子目标，其具有第一对称中心且包含具有第一线宽的第一目标特征；及第二子目标，其具有与所述第一对称中心重合的第二对称中心且包含第二目标特征，所述第二目标特征具有大于所述第一线宽的第二线宽，且与所述第一目标特征邻近但不重叠。

公开(公告)号：CN116997863A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202180094683.X

申请日：2021-08-10

Applicant: 科磊股份有限公司

Inventor： E·哈贾 ,  A·玛纳森 ,  S·艾森巴赫 ,  A·戈洛塔斯万 ,  Y·格劳尔 ,  E·马斯洛夫斯基

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种产品，其包含：至少一个半导体衬底；多个薄膜层，其安置于所述至少一个衬底上；及叠加目标，其形成于所述薄膜层中的至少一者中。所述叠加目标包含：第一子目标，其具有第一对称中心且包含具有第一线宽的第一目标特征；及第二子目标，其具有与所述第一对称中心重合的第二对称中心且包含第二目标特征，所述第二目标特征具有大于所述第一线宽的第二线宽，且与所述第一目标特征邻近但不重叠。