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公开(公告)号：CN118800674A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410783139.1
申请日：2019-07-10
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种数据驱动的错位参数配置与测量的系统及方法，所述方法包含：使用测量参数配置集来模拟选自旨在为相同的一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的多个测量模拟，产生所述装置的模拟数据；识别选自所述测量参数配置集的经推荐测量参数配置；提供选自所述批的多层半导体装置；将至少一个经推荐测量参数配置集提供到具有多个可能测量参数配置集的错位计量工具；使用所述经推荐集来测量选自所述批的至少一个多层半导体装置，由此产生所述装置的测量数据；其后识别最终经推荐测量参数配置集；及使用所述最终经推荐集来测量选自所述批的至少一个多层半导体装置的错位。
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公开(公告)号：CN115428139B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080099714.6
申请日：2020-06-25
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/68 , G03F7/20 , H01L23/544 , G03F9/00
Abstract: 一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标及其使用方法，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构(FDST)，所述目标包含：多个测量结构(MST)，所述多个MST是所述第一层及所述第二层的部分；及多个类装置结构(DLST)，所述多个DLST是所述第一层及所述第二层中的至少一者的部分，所述DLST与所述FDST共享至少一个特性且所述MST不与所述FDST共享所述至少一个特性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115769150B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202180043666.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种计量系统及计量方法。所述计量系统包括：一组装置特征，其在样本的第一层上；第一组目标特征，其在所述样本的第二层上且与所述一组装置特征重叠；及第二组目标特征，其在所述样本的所述第二层上且与所述一组装置特征重叠。第一组摩尔条纹及第二组摩尔条纹的相对位置指示所述样本的所述第一层与所述样本的所述第二层之间的叠加误差。
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公开(公告)号：CN116917715A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018258.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , I·萨利布 , R·约哈南 , D·沙皮罗乌 , E·哈贾 , V·莱温斯基 , A·阿布拉莫夫 , M·申迪思 , A·希尔德斯海姆 , Y·格劳尔 , S·艾森巴赫 , E·拉维特 , I·尼尔
IPC: G01N21/35
Abstract: 一种光学计量工具可包含：一或多个照射源，其用以产生既具有短波红外线(SWIR)光谱范围内又具有所述SWIR光谱范围外的波长的照射；照射光学器件，其经配置以将所述照射引导到样本；第一成像通道，其包含经配置以基于包含所述SWIR光谱范围中的至少一些波长的第一波长范围将所述样本成像的第一检测器；第二成像通道，其包含经配置以基于包含所述SWIR光谱范围外的至少一些波长的第二波长范围将所述样本成像的第二检测器；及控制器。所述控制器可从所述第一检测器接收所述样本的第一图像，从所述第二检测器接收所述样本的第二图像，并基于所述第一图像及所述第二图像来产生所述样本的光学计量测量。
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公开(公告)号：CN114097066A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN201980098237.9
申请日：2019-07-10
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种数据驱动的错位参数配置与测量的系统及方法，所述方法包含：使用多个测量参数配置集来模拟选自旨在为相同的一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的多个测量模拟，由此产生所述至少一个多层半导体装置的模拟数据；识别选自所述多个测量参数配置集中的至少一个经推荐测量参数配置集；提供选自所述一批多层半导体装置中的多层半导体装置；将所述至少一个经推荐测量参数配置集提供到具有多个可能测量参数配置集的错位计量工具；使用所述至少一个经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置，由此产生所述至少一个多层半导体装置的测量数据；其后识别最终经推荐测量参数配置集；及使用所述最终经推荐测量参数配置集来测量选自旨在为相同的所述一批多层半导体装置中的至少一个多层半导体装置的错位。
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公开(公告)号：CN115769150A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202180043666.3
申请日：2021-06-30
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种计量系统及计量方法。所述计量系统包括：一组装置特征，其在样本的第一层上；第一组目标特征，其在所述样本的第二层上且与所述一组装置特征重叠；及第二组目标特征，其在所述样本的所述第二层上且与所述一组装置特征重叠。第一组摩尔条纹及第二组摩尔条纹的相对位置指示所述样本的所述第一层与所述样本的所述第二层之间的叠加误差。
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公开(公告)号：CN115428139A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202080099714.6
申请日：2020-06-25
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/68 , G03F7/20 , H01L23/544 , G03F9/00
Abstract: 一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标及其使用方法，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构(FDST)，所述目标包含：多个测量结构(MST)，所述多个MST是所述第一层及所述第二层的部分；及多个类装置结构(DLST)，所述多个DLST是所述第一层及所述第二层中的至少一者的部分，所述DLST与所述FDST共享至少一个特性且所述MST不与所述FDST共享所述至少一个特性。
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