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公开(公告)号：CN116917715A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202280018258.7
申请日：2022-02-25
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： A·玛纳森 , I·萨利布 , R·约哈南 , D·沙皮罗乌 , E·哈贾 , V·莱温斯基 , A·阿布拉莫夫 , M·申迪思 , A·希尔德斯海姆 , Y·格劳尔 , S·艾森巴赫 , E·拉维特 , I·尼尔
IPC: G01N21/35
Abstract: 一种光学计量工具可包含：一或多个照射源，其用以产生既具有短波红外线(SWIR)光谱范围内又具有所述SWIR光谱范围外的波长的照射；照射光学器件，其经配置以将所述照射引导到样本；第一成像通道，其包含经配置以基于包含所述SWIR光谱范围中的至少一些波长的第一波长范围将所述样本成像的第一检测器；第二成像通道，其包含经配置以基于包含所述SWIR光谱范围外的至少一些波长的第二波长范围将所述样本成像的第二检测器；及控制器。所述控制器可从所述第一检测器接收所述样本的第一图像，从所述第二检测器接收所述样本的第二图像，并基于所述第一图像及所述第二图像来产生所述样本的光学计量测量。
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公开(公告)号：CN117980828A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202280063733.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种叠对计量系统可包含照明源及照明光学器件以根据测量配方在样本相对于来自所述照明源的照明运动时，用来自所述照明源的所述照明照射所述样本上的叠对目标。所述叠对目标可包含一或多个胞元，其中单胞元适合于沿着特定方向测量。此胞元可包含具有不同节距的两个或更多个光栅。此外，所述系统可包含两个或更多个光电检测器，其各自经配置以从所述两个或更多个光栅结构捕获三个衍射波瓣。所述系统可进一步包含控制器以确定与所述叠对目标的每一胞元相关联的叠对测量。
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公开(公告)号：CN115485824A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202080100419.8
申请日：2020-05-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L23/544
Abstract: 一种用于测量半导体装置的层之间的偏移的计量目标包含：第一目标结构，其经放置于半导体装置的第一层上，所述第一目标结构包含分别定位于所述第一目标结构的至少四个区中的第一多个整体元件，所述第一多个元件相对于第一对称中心旋转对称；及至少第二目标结构，其经放置于所述半导体装置的至少第二层上，所述第二目标结构包含分别定位于所述第二目标结构的至少四个区中的第二多个元件，所述第二多个元件相对于第二对称中心旋转对称，当所述第一及第二层彼此上下放置时，所述第二对称中心经设计成与所述第一对称中心轴向对准且所述第二多个元件中的对应者呈非环绕布置与所述第一多个元件中的对应者相邻地定位于所述至少四个区中。
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公开(公告)号：CN117980828B
公开(公告)日：2025-04-29
申请号：CN202280063733.2
申请日：2022-12-06
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种叠对计量系统可包含照明源及照明光学器件以根据测量配方在样本相对于来自所述照明源的照明运动时，用来自所述照明源的所述照明照射所述样本上的叠对目标。所述叠对目标可包含一或多个胞元，其中单胞元适合于沿着特定方向测量。此胞元可包含具有不同节距的两个或更多个光栅。此外，所述系统可包含两个或更多个光电检测器，其各自经配置以从所述两个或更多个光栅结构捕获三个衍射波瓣。所述系统可进一步包含控制器以确定与所述叠对目标的每一胞元相关联的叠对测量。
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公开(公告)号：CN119256205A
公开(公告)日：2025-01-03
申请号：CN202380042536.7
申请日：2023-08-20
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 公开一种在单个单元中具有多个方向上的节距的叠加计量系统。根据计量配方，叠加目标可包含在所述样本的单元的两个或更多个层上的多层结构。所述多层结构可包含每一层中的结构，所述结构在一或多个周期性方向上具有一或多个节距。所述多层结构可包含具有第一方向上的第一节距、第二方向上的第二节距、所述第一方向上的第三节距及所述第二方向上的第四节距的结构。所述第一节距或所述第三节距中的至少一者可不同于所述第二节距或所述第四节距中的至少一者。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109073981B
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201680084437.5
申请日：2016-11-04
Applicant: 科磊股份有限公司
Inventor： V·莱温斯基 , E·哈贾 , T·伊茨科维赫 , S·雅哈仑 , M·E·阿德尔 , Y·帕斯卡维尔 , D·内格里 , Y·卢巴舍夫斯基 , A·玛纳森 , 李明俊 , M·D·史密斯
IPC: G03F7/20 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/66
Abstract: 本发明提供计量目标及目标设计方法，其中通过以辅助元件替换来自具有间距p的周期性图案的元件来定义目标元件以形成将所述间距p维持为单个间距的复合周期性结构，所述辅助元件与所述经替换元件具有至少一个几何差异。在与高级多重图案化技术的兼容性界限内构造目标会改善所述目标的保真度，且填充因数调制会使得能够对所述目标进行调整以产生足以在实现所述目标的工艺兼容性的同时提取叠对的计量敏感度。
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公开(公告)号：CN116997863B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202180094683.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
Abstract: 一种产品，其包含：至少一个半导体衬底；多个薄膜层，其安置于所述至少一个衬底上；及叠加目标，其形成于所述薄膜层中的至少一者中。所述叠加目标包含：第一子目标，其具有第一对称中心且包含具有第一线宽的第一目标特征；及第二子目标，其具有与所述第一对称中心重合的第二对称中心且包含第二目标特征，所述第二目标特征具有大于所述第一线宽的第二线宽，且与所述第一目标特征邻近但不重叠。
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公开(公告)号：CN115485824B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202080100419.8
申请日：2020-05-05
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L23/544
Abstract: 一种用于测量半导体装置的层之间的偏移的计量目标包含：第一目标结构，其经放置于半导体装置的第一层上，所述第一目标结构包含分别定位于所述第一目标结构的至少四个区中的第一多个整体元件，所述第一多个元件相对于第一对称中心旋转对称；及至少第二目标结构，其经放置于所述半导体装置的至少第二层上，所述第二目标结构包含分别定位于所述第二目标结构的至少四个区中的第二多个元件，所述第二多个元件相对于第二对称中心旋转对称，当所述第一及第二层彼此上下放置时，所述第二对称中心经设计成与所述第一对称中心轴向对准且所述第二多个元件中的对应者呈非环绕布置与所述第一多个元件中的对应者相邻地定位于所述至少四个区中。
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公开(公告)号：CN117546092A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202280043764.1
申请日：2022-10-06
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种用于半导体计量的方法包含将第一及第二上覆膜层沉积于半导体衬底上及图案化所述层以界定叠对目标。所述目标包含：所述第一层中的第一光栅图案，其包含在第一方向上定向的至少第一线性光栅及在垂直于所述第一方向的第二方向上定向的至少第二线性光栅；及所述第二层中的第二光栅图案，其包含相同于所述第一线性光栅的至少第三线性光栅及相同于所述第二线性光栅的第四线性光栅。所述第二光栅图案分别在所述第一及第二方向上具有相对于所述第一光栅图案达第一及第二位移的标称偏移。撷取且处理所述衬底的散射测量图像以估计所述第一与第二层的图案化之间的叠对误差。
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公开(公告)号：CN116997863A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202180094683.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 科磊股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 一种产品，其包含：至少一个半导体衬底；多个薄膜层，其安置于所述至少一个衬底上；及叠加目标，其形成于所述薄膜层中的至少一者中。所述叠加目标包含：第一子目标，其具有第一对称中心且包含具有第一线宽的第一目标特征；及第二子目标，其具有与所述第一对称中心重合的第二对称中心且包含第二目标特征，所述第二目标特征具有大于所述第一线宽的第二线宽，且与所述第一目标特征邻近但不重叠。
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