发光装置
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103107265A

    公开(公告)日:2013-05-15

    申请号:CN201210451064.4

    申请日:2012-11-12

    Abstract: 本发明涉及一种能够实现发光效率的提高并抑制色相不均匀的发光装置,其包括:从出光面(2a)射出光的半导体发光元件(2);和具有与半导体发光元件的出光面对置并使得从半导体发光元件射出的光射入的入射面(4)、将从入射面射入的光向外部射出的射出面(5)、和位于入射面与射出面之间的外周面(6)的波长转换层(3),波长转换层的外周部的至少一部分作为凸出的突状部(3a)设于外周面侧,突状部的外周面具有与入射面连续的第一倾斜部(6a)和与射出面连续的第二倾斜部(6b),波长转换层的外周面设有将从入射面射入的光反射的光反射层,光反射层上形成有与第一倾斜部相接的第一反射面(7a)和与第二倾斜部相接的第二反射面(7b)。

    发光装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103107265B

    公开(公告)日:2016-05-18

    申请号:CN201210451064.4

    申请日:2012-11-12

    Abstract: 本发明涉及一种能够实现发光效率的提高并抑制色相不均匀的发光装置,其包括:从出光面(2a)射出光的半导体发光元件(2);和具有与半导体发光元件的出光面对置并使得从半导体发光元件射出的光射入的入射面(4)、将从入射面射入的光向外部射出的射出面(5)、和位于入射面与射出面之间的外周面(6)的波长转换层(3),波长转换层的外周部的至少一部分作为凸出的突状部(3a)设于外周面侧,突状部的外周面具有与入射面连续的第一倾斜部(6a)和与射出面连续的第二倾斜部(6b),波长转换层的外周面设有将从入射面射入的光反射的光反射层,光反射层上形成有与第一倾斜部相接的第一反射面(7a)和与第二倾斜部相接的第二反射面(7b)。

    切割晶片的方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1518072A

    公开(公告)日:2004-08-04

    申请号:CN200410039319.1

    申请日:2004-01-19

    CPC classification number: H01L21/78

    Abstract: 一种切割晶片的方法,其中在一面上形成有多个电子电路的晶片被切割成各个半导体芯片,该方法包括以下步骤:用光敏抗蚀剂层涂覆与形成有多个电子电路的一面相对的晶片的另一面,沿用于随后切断晶片的切割线,在形成有电子电路的一面,用能够穿过晶片的辐射线照射光敏抗蚀剂层以使其曝光,显影光敏抗蚀剂层,由此沿切割线选择性地除去抗蚀剂层被曝光的那部分的材料,以及在与形成有多个电子电路的一面相对的另一面上蚀刻晶片以沿着切割线切割晶片。

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