半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119581451A

    公开(公告)日:2025-03-07

    申请号:CN202311791300.1

    申请日:2023-12-22

    Inventor: 村山启

    Abstract: 半导体装置具有布线基板和半导体元件。布线基板具备第一信号焊盘;及一对第一接地焊盘,与第一信号焊盘分离,在俯视下隔着第一信号焊盘彼此相对地布置。半导体元件具备第二信号焊盘;以及一对第二接地焊盘,与第二信号焊盘分离,在俯视下隔着第二信号焊盘彼此相对地布置。在第二信号焊盘上形成有第一凸块,第一凸块经由第一接合部与第一信号焊盘电连接。在第二接地焊盘上形成有第二凸块、及布置在比第二凸块更靠第二信号焊盘侧的位置的第三凸块,至少第二凸块经由第二接合部与第一接地焊盘电连接。第二接合部的一部分位于比第一接地焊盘更靠第一信号焊盘侧的位置,在俯视下第一信号焊盘与第二接合部的间隔比第一信号焊盘与第一接地焊盘的间隔窄。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN116417429A

    公开(公告)日:2023-07-11

    申请号:CN202211633450.5

    申请日:2022-12-19

    Inventor: 村山启

    Abstract: 提供一种能抑制上基板的剥离的半导体装置。半导体装置(10)包括:下基板(20);半导体元件(30),搭载于下基板(20)的上表面;上基板(40),设置于半导体元件(30)的上表面;贯穿孔(44),在厚度方向贯穿上基板(40);密封树脂(50),设置于下基板(20)与上基板(40)之间,对半导体元件(30)进行密封;以及布线层(60),设置于上基板(40)的上表面。密封树脂(50)包覆上基板(40)的上表面并且填充贯穿孔(44)。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN119517888A

    公开(公告)日:2025-02-25

    申请号:CN202411156348.X

    申请日:2024-08-21

    Inventor: 村山启

    Abstract: 提供一种半导体装置,其能够降低使多个半导体元件同时进行开关动作时的定时偏差。该半导体装置具有:3个以上的半导体元件,相互并联连接;以及布线基板,布置在半导体元件上,各个半导体元件具有控制电极,并且是利用施加于控制电极的电压进行开关的元件,布线基板具有绝缘层;以及第一布线图案,隔着绝缘层布置在与半导体元件相反的一侧,并且将各个半导体元件的控制电极彼此连接,第一布线图案包括与半导体元件相同数量的等长布线、以及经由各个等长布线向各个半导体元件的控制电极输入电压的电压输入点,各个半导体元件的控制电极仅通过从电压输入点沿不同方向延伸的等长布线与电压输入点连接。

    复合配线基板、半导体装置及复合配线基板的制造方法

    公开(公告)号:CN115334745A

    公开(公告)日:2022-11-11

    申请号:CN202210478241.1

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 本发明提供能够抑制接合材的附近的裂缝的复合配线基板、半导体装置和复合配线基板的制造方法。复合配线基板具有:具备有第1连接端子的第1配线基板、具备有与上述第1连接端子对置的第2连接端子的第2配线基板以及将上述第1连接端子与上述第2连接端子进行接合的接合材,俯视时,上述第1连接端子的第1轮廓位于上述第2连接端子的第2轮廓的内侧,上述接合材具有:与上述第1连接端子和上述第2连接端子这两者接触,由Cu和Sn的金属间化合物形成的第1部分以及俯视时,包含上述第1轮廓与上述第2轮廓之间的部分,由Bi和Sn的合金形成的第2部分,上述第2部分以与SnBi合金的共晶组成相比的高浓度含有Bi,上述第2部分与上述第2连接端子分开。

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