公开(公告)号：CN103107265A

公开(公告)日：2013-05-15

申请号：CN201210451064.4

申请日：2012-11-12

Applicant: 株式会社小糸制作所 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 堤康章 ,  水野正宣 ,  佐佐木祥敬 ,  东光敏 ,  白石晶纪 ,  新井理绘

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/14 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明涉及一种能够实现发光效率的提高并抑制色相不均匀的发光装置，其包括：从出光面（2a）射出光的半导体发光元件（2）；和具有与半导体发光元件的出光面对置并使得从半导体发光元件射出的光射入的入射面（4）、将从入射面射入的光向外部射出的射出面（5）、和位于入射面与射出面之间的外周面（6）的波长转换层（3），波长转换层的外周部的至少一部分作为凸出的突状部（3a）设于外周面侧，突状部的外周面具有与入射面连续的第一倾斜部（6a）和与射出面连续的第二倾斜部（6b），波长转换层的外周面设有将从入射面射入的光反射的光反射层，光反射层上形成有与第一倾斜部相接的第一反射面（7a）和与第二倾斜部相接的第二反射面（7b）。

公开(公告)号：CN103107265B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201210451064.4

申请日：2012-11-12

Applicant: 株式会社小糸制作所 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 堤康章 ,  水野正宣 ,  佐佐木祥敬 ,  东光敏 ,  白石晶纪 ,  新井理绘

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/58

CPC classification number: H01L33/46 ,  H01L33/44 ,  H01L33/507 ,  H01L2224/14 ,  H01L2933/0091

Abstract: 本发明涉及一种能够实现发光效率的提高并抑制色相不均匀的发光装置，其包括：从出光面（2a）射出光的半导体发光元件（2）；和具有与半导体发光元件的出光面对置并使得从半导体发光元件射出的光射入的入射面（4）、将从入射面射入的光向外部射出的射出面（5）、和位于入射面与射出面之间的外周面（6）的波长转换层（3），波长转换层的外周部的至少一部分作为凸出的突状部（3a）设于外周面侧，突状部的外周面具有与入射面连续的第一倾斜部（6a）和与射出面连续的第二倾斜部（6b），波长转换层的外周面设有将从入射面射入的光反射的光反射层，光反射层上形成有与第一倾斜部相接的第一反射面（7a）和与第二倾斜部相接的第二反射面（7b）。

公开(公告)号：CN104062476A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201410099102.3

申请日：2014-03-17

Applicant: 日本电子材料株式会社 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 木村哲平 ,  白石晶纪 ,  藤原洸辅

IPC: G01R1/067

CPC classification number: G01R1/07357

Abstract: 本发明涉及探针卡用导板。提供了一种通过增大贯通孔的缘部处的机械强度，能够应对贯通孔的微型化和节距减小的探针卡用导板。探针卡用导板（100）包括具有表面（110a、110b）和贯通孔（111）的硅基板（110）、贯通孔的缘部（113a、113b）以及形成在缘部上的曲面部（122a、122b）。贯通孔被构造为引导探针（200）并且包括内壁面（112）。缘部由硅基板的表面和贯通孔的内壁面构成。曲面部由二氧化硅膜形成。

公开(公告)号：CN1881535A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610086505.X

申请日：2006-06-16

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 春原昌宏 ,  东光敏 ,  白石晶纪 ,  坂口秀明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开一种具有穿透电极的半导体器件的制造方法，该方法包括如下步骤：在基板31中形成穿透孔36，从所述基板的一个表面侧形成第一金属层39，并且在所述基板的一个表面上粘贴保护膜40；在使用所述第一金属层作为供电层的同时，借助于从所述基板的另一表面实施第二金属42的电镀，用所述第二金属填充所述穿透孔以形成穿透电极；除去保护膜40，以及除去位于除所述穿透电极周围部分之外的区域中的第一金属层39。

公开(公告)号：CN104062476B

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201410099102.3

申请日：2014-03-17

Applicant: 日本电子材料株式会社 ,  新光电气工业株式会社

Inventor： 木村哲平 ,  白石晶纪 ,  藤原洸辅

IPC: G01R1/067

CPC classification number: G01R1/07357

Abstract: 本发明涉及探针卡用导板。提供了一种通过增大贯通孔的缘部处的机械强度，能够应对贯通孔的微型化和节距减小的探针卡用导板。探针卡用导板（100）包括具有表面（110a、110b）和贯通孔（111）的硅基板（110）、贯通孔的缘部（113a、113b）以及形成在缘部上的曲面部（122a、122b）。贯通孔被构造为引导探针（200）并且包括内壁面（112）。缘部由硅基板的表面和贯通孔的内壁面构成。曲面部由二氧化硅膜形成。