公开(公告)号：CN101120445A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680004823.5

申请日：2006-12-12

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 山野孝治 ,  饭塚肇 ,  坂口秀明 ,  小林敏男 ,  荒井直 ,  小林壮 ,  小山铁也 ,  饭田清明 ,  真岛智明 ,  田中功一 ,  国本裕治 ,  柳沢孝

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18 ,  H05K1/14 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种芯片内置基板的制造方法，其特征在于，该制造方法具有：第1步骤，把半导体芯片安装在形成有第1布线的第1基板上；以及第2步骤，将形成有第2布线的第2基板和上述第1基板粘合，在上述第2步骤中，上述半导体芯片被封装在上述第1基板和上述第2基板之间，并且上述第1布线和上述第2布线电连接，形成与上述半导体芯片连接的多层布线。

公开(公告)号：CN1518072A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410039319.1

申请日：2004-01-19

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 坂口秀明 ,  东光敏

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/78

Abstract: 一种切割晶片的方法，其中在一面上形成有多个电子电路的晶片被切割成各个半导体芯片，该方法包括以下步骤：用光敏抗蚀剂层涂覆与形成有多个电子电路的一面相对的晶片的另一面，沿用于随后切断晶片的切割线，在形成有电子电路的一面，用能够穿过晶片的辐射线照射光敏抗蚀剂层以使其曝光，显影光敏抗蚀剂层，由此沿切割线选择性地除去抗蚀剂层被曝光的那部分的材料，以及在与形成有多个电子电路的一面相对的另一面上蚀刻晶片以沿着切割线切割晶片。

公开(公告)号：CN100527394C

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200680004823.5

申请日：2006-12-12

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 山野孝治 ,  饭塚肇 ,  坂口秀明 ,  小林敏男 ,  荒井直 ,  小林壮 ,  小山铁也 ,  饭田清明 ,  真岛智明 ,  田中功一 ,  国本裕治 ,  柳沢孝

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/52 ,  H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18 ,  H05K1/14 ,  H05K3/46

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供一种芯片内置基板的制造方法，具有：半导体芯片安装步骤，把半导体芯片安装在形成有第1布线的第1基板上；设置步骤，按照上述半导体芯片和形成有第2布线的第2基板隔着规定间隔相对置的方式，将第1基板和第2基板在相对置的状态下设置在具有开口部的金属模具内；以及模制树脂形成步骤，将从开口部提供的模制树脂导入到第1基板与第2基板之间，通过使模制树脂硬化来利用模制树脂对半导体芯片进行封装，进而对第1基板与第2基板之间进行封装，在设置步骤前，通过由具有金属球的焊球构成的电连接构件将第1布线和第2布线电连接，并且，通过金属球对第1基板与第2基板之间的间隔进行控制，使第1基板与第2基板之间的间隔为规定值。

公开(公告)号：CN101295072A

公开(公告)日：2008-10-29

申请号：CN200810089238.0

申请日：2008-04-25

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 小林秀 ,  根岸彻 ,  织田卓哉 ,  坂口秀明

IPC: G02B26/08 ,  H01L23/02

CPC classification number: G02B26/001

Abstract: 一种光学器件包括半透明构件和在半透明构件上形成的并且具有第一开口的遮光构件。在倾斜表面内形成了与第一开口的侧表面对应的遮光构件的一部分。一种制造该光学器件的方法包括：在半透明构件上形成具有第二开口的掩模，使得第二开口对应于遮光构件的形状和形成区域；通过印刷方法，将含Cr树脂填充进第二开口，其中在树脂中包含了含Cr粒子；对开口中所填充的含Cr树脂进行固化以形成由固化的含Cr树脂制成的遮光构件；以及去除掩模。

公开(公告)号：CN1881535A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610086505.X

申请日：2006-06-16

Applicant: 新光电气工业株式会社

Inventor： 春原昌宏 ,  东光敏 ,  白石晶纪 ,  坂口秀明

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01077 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/013 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 本发明公开一种具有穿透电极的半导体器件的制造方法，该方法包括如下步骤：在基板31中形成穿透孔36，从所述基板的一个表面侧形成第一金属层39，并且在所述基板的一个表面上粘贴保护膜40；在使用所述第一金属层作为供电层的同时，借助于从所述基板的另一表面实施第二金属42的电镀，用所述第二金属填充所述穿透孔以形成穿透电极；除去保护膜40，以及除去位于除所述穿透电极周围部分之外的区域中的第一金属层39。