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公开(公告)号：CN1505147A
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN200310118745.X
申请日：2003-12-02
Applicant: 新光电气工业株式会社
CPC classification number: H05K1/186 , H01L21/563 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5389 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92144 , H01L2225/06517 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H05K1/185 , H05K3/4602 , H05K2201/09509 , H01L2924/00 , H01L2224/05624 , H01L2924/00014
Abstract: 包括了包含预定布线图样的布线基片；电子部件，其元件形成表面上的连接终端被倒装连接到布线图样上；用来覆盖电子部件的绝缘层；在电子部件的预定部位和位于连接终端上的绝缘层中形成的通路孔；在绝缘层上形成的、并通过通路孔连接到连接终端的叠加布线图样。
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公开(公告)号：CN1310309C
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN03137675.4
申请日：2003-06-18
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真筱直宽
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L21/76879 , Y10S438/959
Abstract: 本发明公开了一种在硅基板中插塞通孔的方法。借助电解电镀用金属11插塞硅基板1中的通孔2。抛光和平坦化硅基板的两面之后，在硅基板上进行高压退火以除去在插塞金属中产生的小空隙，因此，增强了插塞金属的精度和密度。
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公开(公告)号：CN1993024A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610170309.0
申请日：2006-12-28
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真筱直宽
CPC classification number: C25D5/18 , C25D5/026 , C25D17/02 , H05K3/423 , H05K3/426 , H05K2201/09563 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明公开一种填充通孔的方法，其特征在于：在通过电解电镀用电镀金属填充在基板中形成的通孔的情况下，当以保持恒定的电流密度作为所述电解电镀的电流密度执行所述电解电镀时，以高于能够完全填充所述通孔的恒定电流密度的高电流密度开始所述电解电镀；以及在以高电流密度开始所述电解电镀之后，通过在达到形成缝隙直径之前将电流密度变为低于所述高电流密度的电流密度，继续所述电解电镀，在所述缝隙直径下，即使当继续所述电解电镀时内径也不会减小。
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公开(公告)号：CN1260789C
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：CN02117695.7
申请日：2002-05-21
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真筱直宽
CPC classification number: H05K3/423 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H05K1/0306 , H05K3/045 , H05K3/107 , H05K3/388 , H05K3/4608 , H05K2201/0376 , H05K2201/09036 , H05K2201/09563 , H05K2203/0143 , H05K2203/1509 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路板的制造方法，能够防止在抛光导电层期间导电层的剥离，该方法包括以下步骤，在基片的一面至少形成孔；在基片的一面，另一面和侧面，及孔的内表面上形成电镀供电层；通过电镀供电层的电镀在基片的一面和另一面及侧面形成形成的金属层并填埋孔；以及抛光金属层，以形成由孔中填埋的金属层组成的互连图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1503359A
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN200310118357.1
申请日：2003-11-25
Applicant: 新光电气工业株式会社
CPC classification number: H05K1/185 , H01L21/78 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/81 , H01L24/82 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05023 , H01L2224/05027 , H01L2224/05548 , H01L2224/16237 , H01L2224/24051 , H01L2224/24225 , H01L2224/24226 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/81192 , H01L2224/8121 , H01L2224/81815 , H01L2224/92244 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H05K3/4602 , H05K2201/09509 , Y10T29/49126 , Y10T29/4913 , Y10T29/49144 , Y10T29/49165 , H01L2924/00 , H01L2224/05644 , H01L2924/00014 , H01L2224/05655 , H01L2224/05124 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05171
Abstract: 提供了一种电子元件封装结构，它包括一个其上安装了一个电子元件的安装体，该电子元件具有一个连接焊盘，它以一个防蚀刻膜(铜膜、金膜、银膜或导电贴膜)作为最上层膜，并安装在安装体上，使连接焊盘方向向上，一层用于覆盖电子元件的夹层绝缘膜，一个形成在电子元件的连接焊盘上的绝缘膜中的通路孔以及一个通过通路孔连接到连接焊盘的布线图案。
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公开(公告)号：CN1467819A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03137675.4
申请日：2003-06-18
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真筱直宽
IPC: H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/2885 , H01L21/76879 , Y10S438/959
Abstract: 本发明公开了一种在硅基板中插塞通孔的方法。借助电解电镀用金属11插塞硅基板1中的通孔2。抛光和平坦化硅基板的两面之后，在硅基板上进行高压退火以除去在插塞金属中产生的小空隙，因此，增强了插塞金属的精度和密度。
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公开(公告)号：CN100589682C
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200610170309.0
申请日：2006-12-28
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真筱直宽
CPC classification number: C25D5/18 , C25D5/026 , C25D17/02 , H05K3/423 , H05K3/426 , H05K2201/09563 , H05K2203/1476
Abstract: 本发明公开一种填充通孔的方法，其特征在于：在通过电解电镀用电镀金属填充在基板中形成的通孔的情况下，当以保持恒定的电流密度作为所述电解电镀的电流密度执行所述电解电镀时，以高于能够完全填充所述通孔的恒定电流密度的高电流密度开始所述电解电镀；以及在以高电流密度开始所述电解电镀之后，通过在达到形成缝隙直径之前将电流密度变为低于所述高电流密度的电流密度，继续所述电解电镀，在所述缝隙直径下，即使当继续所述电解电镀时内径也不会减小。
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公开(公告)号：CN1469436A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03145157.8
申请日：2003-06-16
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真筱直宽
IPC: H01L21/304 , H01L21/02 , B24B9/00
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834
Abstract: 一种机加工硅片的方法，在将一种单晶体片机加工成薄片时能防止产生破裂，所述破裂从薄硅片周边中的锥形或斜面部分开始。将多个周边上具有斜面部分2的硅片1叠置，对多个叠置硅片周边上的斜面部分2同时进行研磨，并且将每个硅片的一个面研磨，以便得到一种薄硅片10。
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公开(公告)号：CN1387239A
公开(公告)日：2002-12-25
申请号：CN02117695.7
申请日：2002-05-21
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真筱直宽
CPC classification number: H05K3/423 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/4846 , H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L25/0657 , H01L2224/16 , H01L2924/01004 , H01L2924/01019 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/10253 , H01L2924/15311 , H05K1/0306 , H05K3/045 , H05K3/107 , H05K3/388 , H05K3/4608 , H05K2201/0376 , H05K2201/09036 , H05K2201/09563 , H05K2203/0143 , H05K2203/1509 , Y10T29/49155 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
Abstract: 一种电路板的制造方法,能够防止在抛光导电层期间导电层的剥离,该方法包括以下步骤,在基片的一面至少形成孔;在基片的一面,另一面和侧面,及孔的内表面上形成电镀供电层;通过电镀供电层的电镀在基片的一面和另一面及侧面形成形成的金属层并填埋孔;以及抛光金属层,以形成由孔中填埋的金属层组成的互连图案。
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