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公开(公告)号：CN100364091C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN02121343.7
申请日：2002-06-14
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2224/05647 , H01L2924/00014 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05171
Abstract: 一种半导体器件，使主电极垫片能与互连图案可靠地电连接，无需除已有主电极垫片之外再单独提供通路孔使用的电极垫片，该半导体器件具有硅基片(半导体基片)、在该硅基片的一个表面上形成的电子元件形成层、与该电子元件形成层电连接的电极垫片、穿过该电极垫片和硅基片的通孔、在该电极垫片上的SiO2膜中沿通孔开口边缘形成的通路孔、以及互连图案，该互连图案把电极垫片经由通孔和通路孔电引导到硅基片的另一表面。
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公开(公告)号：CN1467797A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03141318.8
申请日：2003-06-10
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/6838 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68354 , H01L2924/3025
Abstract: 一种微半导体元件的制造方法，包括以下步骤：借助保护膜22将具有电路面和背面的半导体晶片10粘附到支撑板20，以使电路面面向保护膜；减小半导体晶片的厚度同时由支撑板支撑半导体晶片；将半导体晶片切割成各半导体元件10a，同时半导体晶片粘附到保护膜；以半导体元件的背面粘附到剥离膜的方式将半导体元件由保护膜移动到粘结剥离膜26；通过支撑环28支撑剥离膜的周边；以及当通过上推销30借助剥离膜上推半导体元件的背面时，通过吸嘴36拾取各半导体元件。
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公开(公告)号：CN101123854A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710140290.X
申请日：2007-08-08
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真篠直宽
CPC classification number: H01L23/50 , H01G4/236 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L21/486 , H01L23/49822 , H01L23/49827 , H01L23/642 , H01L2221/68345 , H01L2224/16 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/04941 , H01L2924/15311 , H05K1/113 , H05K1/162 , H05K3/007 , H05K3/20 , H05K3/4007 , H05K3/4644 , H05K2201/0179 , H05K2201/09763 , H05K2203/0152 , H05K2203/0733 , Y10T29/435
Abstract: 本发明涉及一种电容器内置基板及其制造方法和电子元件装置。该电容器内置基板包括：基础树脂层；多个电容器，它们在穿过基础树脂层的状态下沿横向并排布置，每个电容器均由第一电极、介电层和第二电极构成，第一电极设置成穿过基础树脂层，并且具有分别从基础树脂层的两个表面侧突出的突出部，以使在基础树脂层的一个表面侧上的突出部用作连接部，介电层用于覆盖第一电极的在基础树脂层的另一表面侧上的突出部，并且第二电极用于覆盖介电层；贯通电极，其设置成穿过基础树脂层，并且具有分别从基础树脂层的两个表面侧突出的突出部；以及组合布线，其形成在基础树脂层的所述另一表面侧上，并且连接到电容器的第二电极和贯通电极的一端侧。
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公开(公告)号：CN100364092C
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN02121344.5
申请日：2002-06-14
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/02371 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/16145 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/10253 , H01L2924/1305 , H01L2924/00 , H01L2224/05647 , H01L2924/00014 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05171
Abstract: 一种半导体器件，使主电极垫片能与互连图案可靠地电连接。该半导体器件具有硅基片(半导体基片)、在该硅基片的一个表面上形成的电子元件形成层、具有延伸部分并与该电子元件形成层电连接的电极垫片、穿过该电极垫片和硅基片的通孔、SiO2膜(绝缘膜)、在电极垫片和延伸部分上的SiO2膜中提供的通路孔、以及互连图案，该互连图案把电极垫片经由通孔和通路孔引导到硅基片的另一表面，所述通孔在穿过电极垫片部分的直径大于穿过半导体基片部分的直径。
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公开(公告)号：CN101123853A
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200710139744.1
申请日：2007-07-30
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真篠直宽
CPC classification number: H01L23/50 , H01G4/236 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L23/642 , H01L2224/16225 , H01L2224/16268 , H01L2224/81192 , H01L2924/09701 , H01L2924/15311 , H01L2924/19041 , H01L2924/19103 , H05K1/162 , H05K2201/0367 , H05K2201/09763 , H05K2201/10378 , Y10T29/435
Abstract: 本发明涉及内置有电容器的互连体及其制造方法以及电子元件装置。本发明的内置有电容器的互连体包括：基础树脂层；电容器第一电极，该第一电极设置成穿过所述基础树脂层并具有多个伸出部，所述伸出部分别从所述基础树脂层的两表面侧伸出，从而位于所述基础树脂层的一个表面侧的伸出部用作连接部分；电容器介电层，该介电层用于覆盖所述第一电极的位于所述基础树脂层的另一表面侧的伸出部；以及电容器第二电极，该第二电极用于覆盖所述介电层，其中，多个均由所述第一电极、所述介电层和所述第二电极构成的电容器在这些电容器穿过所述基础树脂层的状态下沿横向对齐。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1479407A
公开(公告)日：2004-03-03
申请号：CN03141317.X
申请日：2003-06-10
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真篠直宽
CPC classification number: H01Q23/00 , H01L2223/6677 , H01L2224/05568 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01Q1/38 , H01Q9/0407 , H01Q9/0421 , H05K1/0306 , H05K1/16
Abstract: 本发明提供一种结合有天线的半导体组件结构，通过改进组成天线3的组件结构的材料减小天线的长度。铁电层(2)形成在硅板(1)上，由导体膜组成的天线(3)形成在铁电层(2)上。通孔(9)形成在硅板(1)上。如电容器、SAW滤波器和电感的电子元件结合到硅板(1)上以组成组件结构。
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公开(公告)号：CN1392610A
公开(公告)日：2003-01-22
申请号：CN02121343.7
申请日：2002-06-14
Applicant: 新光电气工业株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L25/07
CPC classification number: H01L25/0657 , H01L23/481 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/05023 , H01L2224/05025 , H01L2224/0557 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/16 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2224/05647 , H01L2924/00014 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05171
Abstract: 一种半导体器件，使主电极垫片能与互连图案可靠地电连接，无需除已有主电极垫片之外再单独提供通路孔使用的电极垫片，该半导体器件具有硅基片(半导体基片)、在该硅基片的一个表面上形成的电子元件形成层、与该电子元件形成层电连接的电极垫片、穿过该电极垫片和硅基片的通孔、在该电极垫片上的SiO2膜中沿通孔开口边缘形成的通路孔、以及互连图案，该互连图案把电极垫片经由通孔和通路孔电引导到硅基片的另一表面。
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公开(公告)号：CN1265438C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02146233.X
申请日：2002-10-15
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真篠直宽
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/16
Abstract: 通过向硅基片照射激光束而在其一面上形成有导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤，在硅基片的一侧形成用于保护导电图形的防护膜，在包括防护膜顶部硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属电镀膜，向由防护膜及金属电镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷，在硅基片中形成多个通孔或凹陷时，照射激光束形成前一个通孔或凹陷所产生的热量在后继的通孔或凹陷形成期间基本上不聚集在基片中，剥离金属电镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边金属电镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，并使用不损坏防护膜的清除溶液，清除通孔或凹陷内壁上的沉积物，它们是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。
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公开(公告)号：CN1652667A
公开(公告)日：2005-08-10
申请号：CN200510007284.8
申请日：2005-02-06
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真篠直宽
CPC classification number: H05K3/108 , H05K2203/095 , H05K2203/097
Abstract: 在由树脂形成的聚酰亚胺膜的一侧的表面上进行等离子体处理。当对聚酰亚胺膜的一侧的表面施加可湿性时，在粘附有喷射出的水的聚酰亚胺膜的一侧的表面上进行等离子体处理。
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公开(公告)号：CN1412821A
公开(公告)日：2003-04-23
申请号：CN02146233.X
申请日：2002-10-15
Applicant: 新光电气工业株式会社
Inventor： 真篠直宽
IPC: H01L21/302
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L2224/16
Abstract: 通过向硅基片照射激光束而在其一面上形成有导电图形的硅基片中形成通孔或凹陷的方法，该方法包括以下步骤，在硅基片的一侧形成用于保护导电图形的防护膜，在包括防护膜顶部硅基片的整个表面上形成附着在防护膜上的金属电镀膜，向由防护膜及金属电镀膜覆盖的硅基片预定位置照射激光束，以便在硅基片中形成通孔或凹陷，剥离金属电镀膜并清除围绕通孔或凹陷开口周边金属电镀膜上的碎片，这些碎片是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的，并使用不损坏防护膜的清除溶液，清除通孔或凹陷内壁上的沉积物，它们是在通过激光束照射形成通孔或凹陷期间沉积在其上的。
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