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公开(公告)号：CN103571495A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310319674.3
申请日：2013-07-26
CPC classification number: H01L21/465 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
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公开(公告)号：CN1670624B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200510055418.3
申请日：2005-03-17
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/004 , G02F1/136 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，为了对薄膜晶体管液晶显示装置的透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，所用的蚀刻组合物中含有盐酸、醋酸、添加剂及超纯水，它们随时间的变化小，将对于其他的配线的影响最小化，从而实现了对薄膜的稳定蚀刻，且蚀刻速度快，减轻了侧蚀。
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公开(公告)号：CN103526206B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201310136179.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。
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公开(公告)号：CN103571495B
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201310319674.3
申请日：2013-07-26
IPC: C09K13/06 , H01L21/3213 , H01L21/465 , H01L29/786
CPC classification number: H01L21/465 , C09K13/00 , C09K13/06 , C23F1/30 , H01L21/32134 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。
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公开(公告)号：CN104451681A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410497650.1
申请日：2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102234805A
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN201110120139.6
申请日：2011-05-06
Applicant: 株式会社东进世美肯
Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。
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公开(公告)号：CN104451681B
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201410497650.1
申请日：2014-09-25
Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。
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公开(公告)号：CN1682155B
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN03821966.2
申请日：2003-09-30
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: G03F7/425 , H01L21/31133
Abstract: 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，特别涉及包括(a)20～60wt％水溶性有机溶剂，(b)10～45wt％水，(c)5～15wt％烷基胺或醇胺，(d)0.1～10wt％乙酸，(e)0.01～5wt％肟化合物，(f)1～10wt％含有两个或三个羟基的有机酚化合物和(g)0.5～5wt％三唑化合物的光刻胶剥离剂组合物。本发明的光刻胶剥离剂组合物可容易和快速地在短时间内除去在硬烤、干法蚀刻、灰化或离子注入工艺中硬化的抗蚀剂膜，和在该工艺中，被从底层金属膜蚀刻的金属副产物改性的抗蚀剂膜。此外，在抗蚀剂去除工艺中，该组合物可最小化对底层金属布线的腐蚀。所以它可以非常有效地用于半导体器件如集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路的制造工艺中。
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公开(公告)号：CN101451241A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200810186959.3
申请日：2008-12-08
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C23F1/16
Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂组合物，其用于蚀刻用于形成薄膜晶体管－液晶装置(TFT－LCD)的电极的金属层。所述蚀刻剂组合物包括以蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。TFT－LCD的蚀刻剂组合物适于在不存在侧蚀或突起现象的情况下在单一工序中湿式蚀刻构成源极/漏极的Mo单层以及构成栅极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层并提供优良的锥形蚀刻概况。另外，因为不使用干式蚀刻法，所以制造过程得以简化，生产能力增加并且制造成本降低。此外，甚至在不包括对环境有害的材料(例如过亚氯酸盐(perchlorite)、降低蚀刻剂组合物寿命的不稳定材料或腐蚀用作衬底的玻璃的基于氟的化合物)的情况下，可通过仅一次湿式蚀刻Mo单层、Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层来获得优良锥形概况。
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公开(公告)号：CN103526206A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310136179.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 株式会社东进世美肯
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/4814
Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。
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