公开(公告)号：CN113881938A

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN202110745093.0

申请日：2021-07-01

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金荣光 ,  姜东浒 ,  金圣雄 ,  车敬雄 ,  裴正贤 ,  申贤哲

IPC: C23F1/30

Abstract: 本发明涉及一种可以在形成阵列基板的金属布线时使用的不包含乙酸的蚀刻液组合物。本发明可以提供一种包含磷酸40至65重量％、硝酸2至10重量％、非挥发性有机酸1至10重量％、铵盐化合物以及氨基酸，所述铵盐化合物的含量以及所述氨基酸的含量的之为2至10重量％的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物可以在对银(Ag)单一膜或包含银(Ag)的多重膜进行蚀刻时对所述多重膜的残渣进行控制并增加蚀刻液的使用时间，还可以降低蚀刻液的挥发性，从而在大面积阵列基板上形成均匀的布线。

公开(公告)号：CN101497793A

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200910003907.2

申请日：2009-01-23

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金南绪 ,  姜东浒 ,  曺三永 ,  李骐范

IPC: C09K13/00 ,  H01L21/311

Abstract: 一种用于蚀刻铟锡氧化物层的蚀刻剂组合物及用其蚀刻的方法。该组合物在制备用ITO层的TFT－LCD电子元件和显示设备中用于蚀刻铟锡氧化物(ITO)透明导电层，基于该组合物总重含硫酸4～10wt％、硝酸2.5～6.0wt％、蚀刻控制剂0.5～5wt％和余量水，其对ITO透明导电层有优异的蚀刻性能，在蚀刻工序中减少对光敏材料如光致抗蚀剂的化学侵蚀，且不留下残留物或沉淀物。在该组合物中，草酸在0℃以下不结晶，但在常规的基于草酸的蚀刻剂组合物中发生草酸结晶，且在较低的金属层上不发生副作用，但基于盐酸的蚀刻剂组合物发生副作用。因而，可显著提高制造用ITO层的 TFT－LCD电子元件和显示设备的产率，且其含不贵且高度稳定的组分如硫酸，经过一段时间后组成保持相对稳定，能降低制造成本。

公开(公告)号：CN101451241B

公开(公告)日：2011-09-14

申请号：CN200810186959.3

申请日：2008-12-08

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金南绪 ,  姜东浒 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/16

Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂组合物，其用于蚀刻用于形成薄膜晶体管-液晶装置(TFT-LCD)的电极的金属层。所述蚀刻剂组合物包括以蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。TFT-LCD的蚀刻剂组合物适于在不存在侧蚀或突起现象的情况下在单一工序中湿式蚀刻构成源极/漏极的Mo单层以及构成栅极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层并提供优良的锥形蚀刻概况。另外，因为不使用干式蚀刻法，所以制造过程得以简化，生产能力增加并且制造成本降低。此外，甚至在不包括对环境有害的材料(例如过亚氯酸盐(perchlorite)、降低蚀刻剂组合物寿命的不稳定材料或腐蚀用作衬底的玻璃的基于氟的化合物)的情况下，可通过仅一次湿式蚀刻Mo单层、Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层来获得优良锥形概况。

公开(公告)号：CN101392375B

公开(公告)日：2011-05-04

申请号：CN200810168643.1

申请日：2008-09-17

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金南绪 ,  姜东浒 ,  李骐范 ,  曺三永

IPC: C23F1/16

Abstract: 提供了一种用于蚀刻形成薄膜晶体管-液晶显示装置(TFT-LCD)电极的金属层的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物基于其总重量包含：55-75wt％的磷酸、0.75-1.99wt％的硝酸、10-20wt％的醋酸、0.05-0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02-3wt％的含硼化合物和余量的水。TFT-LCD用蚀刻剂组合物适合于单步法湿式蚀刻用于形成栅极、源极和漏极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层，而没有AlNd、Al和Mo的突出和底切，并且提供优异的锥形蚀刻剖面。另外，由于不使用干式蚀刻工艺，制造过程得到简化，产率得到提高，生产成本下降。进一步地，即使不使用诸如高氯酸盐的非环境友好型材料、导致蚀刻剂组合物使用寿命缩短的不稳定组分或侵蚀作为基板的玻璃的氟基化合物，也能够通过仅一次湿式蚀刻Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层而得到优异的锥形剖面。

公开(公告)号：CN101451241A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810186959.3

申请日：2008-12-08

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金南绪 ,  姜东浒 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/16

Abstract: 本发明提供一种蚀刻剂组合物，其用于蚀刻用于形成薄膜晶体管－液晶装置(TFT－LCD)的电极的金属层。所述蚀刻剂组合物包括以蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。TFT－LCD的蚀刻剂组合物适于在不存在侧蚀或突起现象的情况下在单一工序中湿式蚀刻构成源极/漏极的Mo单层以及构成栅极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层并提供优良的锥形蚀刻概况。另外，因为不使用干式蚀刻法，所以制造过程得以简化，生产能力增加并且制造成本降低。此外，甚至在不包括对环境有害的材料(例如过亚氯酸盐(perchlorite)、降低蚀刻剂组合物寿命的不稳定材料或腐蚀用作衬底的玻璃的基于氟的化合物)的情况下，可通过仅一次湿式蚀刻Mo单层、Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层来获得优良锥形概况。

公开(公告)号：CN115404482A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210579448.8

申请日：2022-05-26

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金炯式 ,  李相赫 ,  金龙会 ,  金荣光 ,  姜东浒 ,  申贤哲 ,  金成太 ,  李东勋 ,  李民惠 ,  李秉洙 ,  郑棊水

IPC: C23F1/30 ,  C23F1/44 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供一种蚀刻液组合物及利用其的显示装置的制造方法。一实施例涉及的蚀刻液组合物包括9.0重量％至9.9重量％的无机酸化合物、5.0重量％至10.0重量％的无机盐化合物、35重量％至45重量％的有机酸化合物、10重量％至20重量％的乳酸盐系化合物、0.1重量％至1.0重量％的含氧的氮环型化合物以及用于使整个组合物的总重量成为100重量％的余量的水，上述无机酸化合物的酸解离常数(pKa)值为‑1.0至‑3.0。

公开(公告)号：CN101392375A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810168643.1

申请日：2008-09-17

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金南绪 ,  姜东浒 ,  李骐范 ,  曺三永

IPC: C23F1/16

Abstract: 提供了一种用于蚀刻形成薄膜晶体管－液晶显示装置(TFT－LCD)电极的金属层的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物基于其总重量包含：55－75wt％的磷酸、0.75－1.99wt％的硝酸、10－20wt％的醋酸、0.05－0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02－3wt％的含硼化合物和余量的水。TFT－LCD用蚀刻剂组合物适合于单步法湿式蚀刻用于形成栅极、源极和漏极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层，而没有AlNd、Al和Mo的突出和底切，并且提供优异的锥形蚀刻剖面。另外，由于不使用干式蚀刻工艺，制造过程得到简化，产率得到提高，生产成本下降。进一步地，即使不使用诸如高氯酸盐的非环境友好型材料、导致蚀刻剂组合物使用寿命缩短的不稳定组分或侵蚀作为基板的玻璃的氟基化合物，也能够通过仅一次湿式蚀刻Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层而得到优异的锥形剖面。