公开(公告)号：CN103571495A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310319674.3

申请日：2013-07-26

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  李旺宇 ,  文英慜 ,  尹升好 ,  崔永株 ,  金相佑 ,  李骐范 ,  李大雨 ,  曹三永

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L21/465 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。

公开(公告)号：CN103571495B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201310319674.3

申请日：2013-07-26

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  李旺宇 ,  文英慜 ,  尹升好 ,  崔永株 ,  金相佑 ,  李骐范 ,  李大雨 ,  曹三永

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/465 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/465 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。

公开(公告)号：CN102234805A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110120139.6

申请日：2011-05-06

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  徐南锡 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  金俸均 ,  李旺宇 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金图元 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。