公开(公告)号：CN116770304A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310262294.4

申请日：2023-03-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金荣绿 ,  朴圭淳 ,  郑钟铉 ,  曹雨辰 ,  金奎佈 ,  金成玟 ,  金在明 ,  申贤哲 ,  金晙东 ,  黄俊荣

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02

Abstract: 本申请提供了蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法。蚀刻剂组合物包括约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸、约0.01wt％至约2.0wt％的氟化合物、约0.01wt％至约5.0wt％的4‑氮环状化合物、约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸和水。氨基酸与4‑氮环状化合物的重量比在约1:16至约1:60的范围内。

公开(公告)号：CN109097774B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201810631619.0

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫 ,  李大雨

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/12

Abstract: 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。

公开(公告)号：CN103526206A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310136179.9

申请日：2013-04-18

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金奎佈 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  韩胜然 ,  郑钟铉 ,  金仁培 ,  金善一 ,  朴弘植 ,  郑在佑

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/4814

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。

公开(公告)号：CN109097774A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810631619.0

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫 ,  李大雨

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/12

Abstract: 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。

公开(公告)号：CN105734570A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510994298.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  文英慜 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  金在明

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了蚀刻剂组合物，其包含：10重量％至20重量％的过硫酸盐；0.1重量％至10重量％的磷酸(H3PO4)或亚磷酸(H3PO3)；0.1重量％至2重量％的基于氮的环状化合物；0.1重量％至5重量％的磺酸化合物；0.1重量％至2重量％的铜腐蚀抑制剂；0.1重量％至2重量％的氟化合物；和使所有成份的总重量为100重量％的余量水。本文还公开了使用该蚀刻剂组合物制造金属接线的方法。

公开(公告)号：CN103526206B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310136179.9

申请日：2013-04-18

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金奎佈 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  韩胜然 ,  郑钟铉 ,  金仁培 ,  金善一 ,  朴弘植 ,  郑在佑

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/4814

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。

公开(公告)号：CN102234805A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110120139.6

申请日：2011-05-06

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  徐南锡 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  金俸均 ,  李旺宇 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金图元 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。