公开(公告)号：CN111270236B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201911217843.6

申请日：2019-12-03

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  金镇奭 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  金承熙 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26

Abstract: 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。

公开(公告)号：CN106873319A

公开(公告)日：2017-06-20

申请号：CN201610685935.7

申请日：2016-08-18

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  郑在祐 ,  金炳郁 ,  赵泰杓 ,  许舜范 ,  张斗瑛 ,  金东宽

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/426

Abstract: 本发明公开一种光致抗蚀剂剥离剂组合物。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物可在避免对金属图案的腐蚀和/或对有机/无机膜的损伤的前提下除去光致抗蚀剂。所述光致抗蚀剂去除用剥离剂组合物组成为相对于所述剥离剂组合物的总重量而包含：15重量％至80重量％的非质子性极性溶剂，包含有N,N‑二甲基丙酰胺；25重量％至80重量％的质子性极性溶剂；1重量％至15重量％的胺系化合物。

公开(公告)号：CN101424888B

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN200810174803.3

申请日：2008-10-31

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  辛成健 ,  许舜范

IPC: G03F7/42 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明提供光致抗蚀剂剥离用组合物、使用该组合物的光致抗蚀剂剥离方法和显示装置的制造方法，该光致抗蚀剂剥离用组合物能够再次使用而剥离性能没有实质性降低并且金属图案没有损伤，从而能够减少照相蚀刻工序的成本。本发明中的光致抗蚀剂剥离用组合物含有80重量％～98.5重量％砜系化合物、1重量％～10重量％内酯系化合物以及0.1重量％～5重量％烷基磺酸。

公开(公告)号：CN101692155A

公开(公告)日：2010-04-07

申请号：CN200810185042.1

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 洪瑄英 ,  朴弘植 ,  郑锺铉 ,  金俸均 ,  李炳珍 ,  金柄郁 ,  郑宗铉 ,  尹锡壹 ,  辛成健 ,  许舜范 ,  郑世桓 ,  张斗瑛

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明涉及一种光致抗蚀剂去除用组合物和用其制造阵列基板的方法，所述光致抗蚀剂去除用组合物包含：a)包含环胺和/或二元胺的胺化合物，b)乙二醇醚类化合物，c)缓蚀剂和d)极性溶剂。所述组合物还包含剥离助剂。

公开(公告)号：CN104597728B

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201410592323.4

申请日：2014-10-29

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金善一 ,  朴弘植 ,  金俸均 ,  金柄郁 ,  朴善周 ,  尹锡壹 ,  赵泰杓 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供一种剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法，该剥离液包含非质子性极性溶剂、胺类化合物及质子性极性溶剂。以剥离液的总重量为基准，所述剥离液可以包含1～90重量部的所述非质子性极性溶剂、1～10重量部的所述胺类化合物以及1～30重量部的所述质子性极性溶剂。利用所述剥离液能够在短时间剥离光刻胶，且能够减少线路及彩色滤光器等所遭受的损伤。

公开(公告)号：CN103571495B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201310319674.3

申请日：2013-07-26

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  李旺宇 ,  文英慜 ,  尹升好 ,  崔永株 ,  金相佑 ,  李骐范 ,  李大雨 ,  曹三永

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/465 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/465 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  C23F1/30 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供蚀刻剂组合物及使用其制造薄膜晶体管的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸铵((NH4)2S2O8)、基于唑的化合物、水溶性的胺化合物、含磺酸基团的化合物、含硝酸根的化合物、含磷酸根的化合物、含氯化物的化合物和剩余的水。

公开(公告)号：CN104597728A

公开(公告)日：2015-05-06

申请号：CN201410592323.4

申请日：2014-10-29

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金善一 ,  朴弘植 ,  金俸均 ,  金柄郁 ,  朴善周 ,  尹锡壹 ,  赵泰杓 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明提供一种剥离液及利用该剥离液的显示装置制造方法，该剥离液包含非质子性极性溶剂、胺类化合物及质子性极性溶剂。以剥离液的总重量为基准，所述剥离液可以包含1～90重量部的所述非质子性极性溶剂、1～10重量部的所述胺类化合物以及1～30重量部的所述质子性极性溶剂。利用所述剥离液能够在短时间剥离光刻胶，且能够减少线路及彩色滤光器等所遭受的损伤。

公开(公告)号：CN104451681A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410497650.1

申请日：2014-09-25

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  朴弘植 ,  尹升好 ,  金善一 ,  金相佑 ,  李大雨 ,  李骐范 ,  曹三永

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/02 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的薄膜晶体管基板形成方法。本发明实施例的蚀刻液组合物包含第一蚀刻液组合物和第二蚀刻液组合物。所述第一蚀刻液组合物包含过二硫酸盐化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物、有机酸、氟化物、磺酸化合物及无机酸。所述第二蚀刻液组合物包含二硫酸化合物、唑类化合物、水溶性胺化合物、磷酸盐化合物、氯化物及有机酸。

公开(公告)号：CN101265579B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC: C23F1/18

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN102234805A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110120139.6

申请日：2011-05-06

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  徐南锡 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  金俸均 ,  李旺宇 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金图元 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。