公开(公告)号：CN1682155B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN03821966.2

申请日：2003-09-30

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金玮溶 ,  尹锡一 ,  曹三永 ,  朴顺姬 ,  全雨植

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，特别涉及包括(a)20～60wt％水溶性有机溶剂，(b)10～45wt％水，(c)5～15wt％烷基胺或醇胺，(d)0.1～10wt％乙酸，(e)0.01～5wt％肟化合物，(f)1～10wt％含有两个或三个羟基的有机酚化合物和(g)0.5～5wt％三唑化合物的光刻胶剥离剂组合物。本发明的光刻胶剥离剂组合物可容易和快速地在短时间内除去在硬烤、干法蚀刻、灰化或离子注入工艺中硬化的抗蚀剂膜，和在该工艺中，被从底层金属膜蚀刻的金属副产物改性的抗蚀剂膜。此外，在抗蚀剂去除工艺中，该组合物可最小化对底层金属布线的腐蚀。所以它可以非常有效地用于半导体器件如集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路的制造工艺中。