公开(公告)号：CN105734570A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201510994298.7

申请日：2015-12-25

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  文英慜 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  金在明

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了蚀刻剂组合物，其包含：10重量％至20重量％的过硫酸盐；0.1重量％至10重量％的磷酸(H3PO4)或亚磷酸(H3PO3)；0.1重量％至2重量％的基于氮的环状化合物；0.1重量％至5重量％的磺酸化合物；0.1重量％至2重量％的铜腐蚀抑制剂；0.1重量％至2重量％的氟化合物；和使所有成份的总重量为100重量％的余量水。本文还公开了使用该蚀刻剂组合物制造金属接线的方法。

公开(公告)号：CN103526206B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310136179.9

申请日：2013-04-18

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金奎佈 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  韩胜然 ,  郑钟铉 ,  金仁培 ,  金善一 ,  朴弘植 ,  郑在佑

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/4814

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。

公开(公告)号：CN101265579B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC: C23F1/18

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN102234805A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110120139.6

申请日：2011-05-06

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  徐南锡 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  金俸均 ,  李旺宇 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金图元 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。

公开(公告)号：CN103526206A

公开(公告)日：2014-01-22

申请号：CN201310136179.9

申请日：2013-04-18

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金奎佈 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  韩胜然 ,  郑钟铉 ,  金仁培 ,  金善一 ,  朴弘植 ,  郑在佑

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/4814

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。