公开(公告)号：CN111187625B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911085664.1

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫 ,  郑鸿

IPC: C09K13/06 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、硫酸盐化合物和水。

公开(公告)号：CN103526206B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310136179.9

申请日：2013-04-18

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金奎佈 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  韩胜然 ,  郑钟铉 ,  金仁培 ,  金善一 ,  朴弘植 ,  郑在佑

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/4814

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。

公开(公告)号：CN111270236B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201911217843.6

申请日：2019-12-03

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  金镇奭 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  金承熙 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02 ,  C23F1/26

Abstract: 本申请涉及蚀刻剂组合物，其包含过硫酸盐、四氮环化合物、二氯化合物、氟化合物和水，并且所述蚀刻剂组合物具有约1:0.5至约1:4的所述四氮环化合物与所述二氯化合物的重量比。所述蚀刻剂组合物可以蚀刻钛/铜的多层并且可以用于制造具有优异的蚀刻图案的性质的金属图案和阵列衬底。

公开(公告)号：CN109811344B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201811389156.8

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金真锡 ,  李凤源 ,  金基泰 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC: C23F1/30 ,  C23F1/16 ,  C09K13/06 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻剂组合物相对于蚀刻剂组合物的总重量包括约8.5wt％至约10wt％的无机酸化合物、约1wt％至约10wt％的硫酸氢盐化合物、约50wt％至约60wt％的有机酸化合物、约1wt％至约5wt％的磺酸化合物、约1wt％至约5wt％的螯合物和作为余量的水。

公开(公告)号：CN111187625A

公开(公告)日：2020-05-22

申请号：CN201911085664.1

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫 ,  郑鸿

IPC: C09K13/06 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、硫酸盐化合物和水。

公开(公告)号：CN109811344A

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201811389156.8

申请日：2018-11-21

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金真锡 ,  李凤源 ,  金基泰 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李秉雄 ,  李相赫

IPC: C23F1/30 ,  C23F1/16 ,  C09K13/06 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种蚀刻剂组合物和使用该蚀刻剂组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻剂组合物相对于蚀刻剂组合物的总重量包括约8.5wt％至约10wt％的无机酸化合物、约1wt％至约10wt％的硫酸氢盐化合物、约50wt％至约60wt％的有机酸化合物、约1wt％至约5wt％的磺酸化合物、约1wt％至约5wt％的螯合物和作为余量的水。

公开(公告)号：CN108251842A

公开(公告)日：2018-07-06

申请号：CN201711082676.X

申请日：2017-11-07

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 裵俊佑 ,  朴弘植 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李相赫

IPC: C23F1/44

CPC classification number: C23F1/44

Abstract: 根据本发明的一个实施例提供一种蚀刻液组合物及利用该组合物的金属布线的制造方法，蚀刻液组合物包含：8重量％至20重量％的过硫酸盐系化合物；从0.1重量％至5重量％的1‑氮系环型化合物、0.05重量％至1重量％的3‑氮系环型化合物及这些化合物的混合物中选择的1种以上的氮系环型化合物；0.1重量％至1重量％的氟系化合物；0.1重量％至1重量％的铜腐蚀防止化合物；以及余量的水。

公开(公告)号：CN114763612A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111650221.X

申请日：2021-12-30

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  权昶佑 ,  沈承辅 ,  安一培 ,  张硕浚 ,  金镇奭 ,  朴芝焄 ,  李龙洙 ,  全亮镒 ,  金奎佈 ,  金相佑 ,  申贤哲

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/12 ,  H01L21/77

Abstract: 本申请提供了蚀刻剂组合物以及使用蚀刻剂组合物制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。实施方式的蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层膜并且可包括约5wt％至约20wt％的过硫酸盐，约0.1wt％至约5wt％的磷酸和/或磷酸盐，约0.01wt％至约2wt％的羰基环化合物，约0.01wt％至约1wt％的3‑氮环化合物，约0.1wt％至约2wt％的4‑氮环化合物，约0.1wt％至约0.9wt％的氟化合物，约0.1wt％至约0.5wt％的硫酸氢盐，约1wt％至约3wt％的两性离子化合物，和水，包含的水的量使整个蚀刻剂组合物的总重量为约100wt％。

公开(公告)号：CN110284139B

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN201910207694.9

申请日：2019-03-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  金镇爽 ,  沈承辅 ,  崔新革 ,  沈枟亨 ,  李栋熙 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02

Abstract: 本发明的实施方式的蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、四‑氮环化合物、具有两个或更多个羰基的羰基环化合物和水，并且四‑氮环化合物和羰基环化合物的重量比为约1:0.1至约1:2。蚀刻剂组合物可蚀刻钛/铜的多层并且可用于制造具有优异蚀刻图案特性的金属图案和阵列基板。

公开(公告)号：CN108203827B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201711373532.X

申请日：2017-12-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金俸均 ,  郑在祐 ,  朴弘植 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李相赫

IPC: C23F1/18 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明涉及一种蚀刻液组合物及使用它的薄膜晶体管显示面板的制造方法。一实施例所涉及的蚀刻液组合物包含8重量％至20重量％的过硫酸盐、0.1重量％至10重量％的磷酸或亚磷酸、0.1重量％至5重量％的磷酸盐化合物、0.1重量％至6重量％的单氮类环状化合物、0.1重量％至5重量％的磺酸类化合物、0.1重量％至2重量％的唑类化合物及余量的水，所述唑类化合物与所述单氮类环状化合物的含量比为1:1至1:2。