公开(公告)号：CN111187625B

公开(公告)日：2022-08-19

申请号：CN201911085664.1

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫 ,  郑鸿

IPC: C09K13/06 ,  H01L27/32

Abstract: 提供一种蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、硫酸盐化合物和水。

公开(公告)号：CN103526206B

公开(公告)日：2018-01-02

申请号：CN201310136179.9

申请日：2013-04-18

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金奎佈 ,  徐源国 ,  申贤哲 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  韩胜然 ,  郑钟铉 ,  金仁培 ,  金善一 ,  朴弘植 ,  郑在佑

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18

CPC classification number: C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L21/4814

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液及利用其的金属布线形成方法。根据本发明的实施方式的金属布线蚀刻液包含过硫酸盐、磺酸盐、氟化合物、唑化合物、有机酸、硝酸盐及氯化合物。根据本发明的金属布线蚀刻液可确保高稳定性和工艺利润，同时能够均匀地蚀刻铜膜和下部金属膜。

公开(公告)号：CN101684408B

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN200910205785.5

申请日：2009-09-11

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 具炳秀 ,  朴贵弘 ,  申贤哲 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C09K13/10

Abstract: 一种蚀刻剂组合物，包括：0.1-34wt％的过硫酸铵((NH4)2S2O8)；0.1-9wt％的硝酸基化合物；0.1-10wt％的乙酸基化合物；0.2-5wt％的含氟基化合物；0.01-3wt％的含硼化合物；以及39-73wt％的水，但是不含唑基化合物。

公开(公告)号：CN101265579B

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN200810085047.7

申请日：2008-03-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑锺铉 ,  朴弘植 ,  洪瑄英 ,  金俸均 ,  李智鲜 ,  李炳珍 ,  李骐范 ,  曺三永 ,  具炳秀 ,  申贤哲 ,  徐源国 ,  朴贵弘 ,  河泰成

IPC: C23F1/18

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻液组合物。本发明提供一种优异的蚀刻液，其保障了高的稳定性和工程裕度，能够对含铜的金属层均匀地进行锥角蚀刻。本发明涉及对液晶显示装置的电路图案中使用的铜配线进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明的蚀刻液组合物含有过硫酸铵和吡咯系化合物。本发明的蚀刻液组合物不含有过氧化氢，所以能够确保稳定性和工程上的裕度，具有能够得到优异的锥角蚀刻轮廓的特征。

公开(公告)号：CN101560058B

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN200910134360.X

申请日：2009-04-14

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 申贤哲 ,  具炳秀 ,  朴贵弘 ,  曺三永 ,  李期范

IPC: C03C15/00

Abstract: 本发明公开一种可以同时清洗及蚀刻液晶显示装置用玻璃基板的组成物，具体地公开一种包含氟化物盐、无机酸、表面活性剂及水的蚀刻液组成物。若使用根据本发明的一实施例的蚀刻液，则可以同时进行清洗和蚀刻，由于容易调节蚀刻速度，可以制造希望厚度的玻璃基板，并且可以确保玻璃基板的膜均匀度、光透射性及色再现性。另外，不使用氢氟酸，从而可以确保废水处理及工序上的安全性。

公开(公告)号：CN102234805A

公开(公告)日：2011-11-09

申请号：CN201110120139.6

申请日：2011-05-06

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  洪瑄英 ,  徐南锡 ,  朴弘植 ,  宋溱镐 ,  金俸均 ,  李旺宇 ,  李骐范 ,  曹三永 ,  金图元 ,  金相佑 ,  申贤哲 ,  徐源国

IPC: C23F1/16 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26

Abstract: 本发明提供一种金属布线蚀刻液。根据本发明的实施例的金属布线蚀刻液含有：过硫酸铵，0.1％～30％重量比有机酸，0.01％～5％重量比磷酸盐，以及唑类化合物。

公开(公告)号：CN116770304A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310262294.4

申请日：2023-03-17

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 金荣绿 ,  朴圭淳 ,  郑钟铉 ,  曹雨辰 ,  金奎佈 ,  金成玟 ,  金在明 ,  申贤哲 ,  金晙东 ,  黄俊荣

IPC: C23F1/18 ,  C23F1/02

Abstract: 本申请提供了蚀刻剂组合物和使用其的显示装置的制造方法。蚀刻剂组合物包括约5.0wt％至约20.0wt％的过硫酸盐、约0.01wt％至约15.0wt％的磺酸、约0.01wt％至约2.0wt％的氟化合物、约0.01wt％至约5.0wt％的4‑氮环状化合物、约0.01wt％至约1.0wt％的包括具有至少两个碳原子的疏水基团的氨基酸和水。氨基酸与4‑氮环状化合物的重量比在约1:16至约1:60的范围内。

公开(公告)号：CN111234824B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201911085578.0

申请日：2019-11-08

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 朴种熙 ,  金基泰 ,  金真锡 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李大雨 ,  李相赫

IPC: C09K13/06 ,  H01L21/3213

Abstract: 提供一种用于蚀刻含银薄膜的蚀刻组合物、一种使用该蚀刻组合物形成图案的方法和一种使用该蚀刻组合物制造显示装置的方法。所述蚀刻组合物包括无机酸化合物、羧酸化合物、磺酸化合物、二醇化合物、含氮二羰基化合物、金属基氧化剂和水。

公开(公告)号：CN115537880A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202210729789.9

申请日：2022-06-24

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 文太均 ,  李晙赫 ,  田承勋 ,  徐俊喆 ,  许㯙 ,  申贤哲 ,  金成玟 ,  李相赫 ,  金荣光 ,  金龙会 ,  安容燮

IPC: C25C5/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及一种金属离子的回收系统和显示器用电极制造装置，通过将接地工艺和附加的冷却工艺用于金属离子的回收，可以从含金属离子的溶液有效回收金属离子并进行再生。

公开(公告)号：CN109097774B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201810631619.0

申请日：2018-06-19

Applicant: 三星显示有限公司 ,  株式会社东进世美肯

Inventor： 郑钟铉 ,  朴弘植 ,  梁熙星 ,  金奎佈 ,  申贤哲 ,  李秉雄 ,  李相赫 ,  李大雨

IPC: C23F1/02 ,  C23F1/18 ,  C23F1/26 ,  H01L27/12

Abstract: 提供蚀刻剂组合物、以及使用其制造金属图案和薄膜晶体管基板的方法。所述蚀刻剂组合物包括过硫酸盐、氟化物、基于四个氮的环状化合物、基于一个氮的环状化合物、含硫(S)原子的基于三个氮的环状化合物、和水，和所述蚀刻剂组合物可通过蚀刻包括铜和钛的金属膜而用于制造金属图案，或者可用于制造薄膜晶体管基板。