公开(公告)号：CN100595680C

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200410070223.1

申请日：2004-07-30

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 尹锡壹 ,  全雨植 ,  朴熙珍

IPC: G03F7/42 ,  G03F7/00 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明涉及一种用于除去感光树脂的稀释剂组合物，该感光树脂用于制造半导体器件或液晶显示器，更特别地涉及包括a)烷基酰胺和b)酮的稀释剂组合物。稀释剂组合物可进一步包括c)全氟烃基氧化胺。本发明的稀释剂组合物可有效除去在衬底边缘和背面附着的不需要的彩色抗蚀剂，特别是用于制造液晶显示器的大尺寸彩色玻璃衬底。它还除去剩余薄膜并降低边缘的差距，因此有效地清洁衬底。因此，它以经济的优点而用于各种工艺，简化制造工艺并提高产率。

公开(公告)号：CN1682155B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN03821966.2

申请日：2003-09-30

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金玮溶 ,  尹锡一 ,  曹三永 ,  朴顺姬 ,  全雨植

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，特别涉及包括(a)20～60wt％水溶性有机溶剂，(b)10～45wt％水，(c)5～15wt％烷基胺或醇胺，(d)0.1～10wt％乙酸，(e)0.01～5wt％肟化合物，(f)1～10wt％含有两个或三个羟基的有机酚化合物和(g)0.5～5wt％三唑化合物的光刻胶剥离剂组合物。本发明的光刻胶剥离剂组合物可容易和快速地在短时间内除去在硬烤、干法蚀刻、灰化或离子注入工艺中硬化的抗蚀剂膜，和在该工艺中，被从底层金属膜蚀刻的金属副产物改性的抗蚀剂膜。此外，在抗蚀剂去除工艺中，该组合物可最小化对底层金属布线的腐蚀。所以它可以非常有效地用于半导体器件如集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路的制造工艺中。

公开(公告)号：CN1721989B

公开(公告)日：2010-05-05

申请号：CN200510080628.8

申请日：2005-07-04

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 姜勋 ,  李承昱 ,  全雨植 ,  朴大然 ,  金周赫 ,  金柄郁

IPC: G03F7/022

CPC classification number: G03F7/0048 ,  G03F7/0007 ,  G03F7/022

Abstract: 本发明提供一种光致抗蚀剂组合物，更具体地，本发明提供了包含以下物质的光致抗蚀剂组合物：a)酚醛清漆树脂、b)二叠氮化合物和c)包含丙二醇甲基醚乙酸酯(PGMEA)和2，2，4-三甲基-1，3-戊二醇单异丁基酯(TMPMB)的溶剂。本发明的光致抗蚀剂组合物在涂布后具有优异的涂布均匀性和污染抑制性能，使得它容易适用于实际工业场合，并且在大规模生产时，由于消耗量的降低和生产所需时间的缩短等，该光致抗蚀剂组合物可以改善作业环境。

公开(公告)号：CN100578367C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200480015004.1

申请日：2004-05-17

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 尹锡壹 ,  全雨植 ,  朴熙珍

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/422

Abstract: 本发明涉及一种用于去除在半导体装置或液晶显示装置的制造过程中被使用的光致抗蚀剂的稀释剂组合物，并且更具体地涉及一种包括a)丙二醇单烷基醚；b)烷基乙酸酯；和c)环酮的稀释剂组合物。本发明的稀释剂组合物可以进一步包括选自包括d)基于聚环氧乙烷的表面活性剂和e)氟化丙烯酸共聚物的组的至少一种化合物。本发明的用于去除光致抗蚀剂的稀释剂组合物能够在短时间内有效地去除粘在制造液晶显示装置或有机EL显示装置中使用的玻璃衬底或晶片的边缘和背面的不需要的光致抗蚀剂，减小界面处的间隙，并且特别地，防止渗透到光致抗蚀剂的界面中。所以，该稀释剂组合物可以用于多种方法中以提供经济上的利益，简化制造工艺，并且提高生产率。