公开(公告)号：CN1920672B

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN200610111383.5

申请日：2006-08-24

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金玮溶 ,  许舜范

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种用于去除光致抗蚀剂和透明导电膜的剥离液组合物。具体地，本发明提供一种能去除半导体装置上透明导电膜的有机酸类透明导电膜去除剂及由有机胺及溶剂组成的双组分以上的剥离液组合物中包含上述去除剂的剥离液组合物。该组合物还可再含有作为抗离析剂使用的乙二醇醚化合物。本发明组合物中含有有机酸类透明导电膜去除剂，由此可去除透明导电膜。而且，上述透明导电膜去除剂中含有硫磺，也可作为防腐剂使用，可防止下部金属膜的金属布线的腐蚀，由此在保存由目前的LCD制备过程所制作出的金属图案的条件下，可以去除已形成图案的光致抗蚀剂，并有选择地或全部地去除涂敷在金属布线上光致抗蚀剂上的透明电极和位于金属布线上的透明电极。

公开(公告)号：CN1682155B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN03821966.2

申请日：2003-09-30

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金玮溶 ,  尹锡一 ,  曹三永 ,  朴顺姬 ,  全雨植

IPC: G03F7/32 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425 ,  H01L21/31133

Abstract: 本发明涉及光刻胶剥离剂组合物，特别涉及包括(a)20～60wt％水溶性有机溶剂，(b)10～45wt％水，(c)5～15wt％烷基胺或醇胺，(d)0.1～10wt％乙酸，(e)0.01～5wt％肟化合物，(f)1～10wt％含有两个或三个羟基的有机酚化合物和(g)0.5～5wt％三唑化合物的光刻胶剥离剂组合物。本发明的光刻胶剥离剂组合物可容易和快速地在短时间内除去在硬烤、干法蚀刻、灰化或离子注入工艺中硬化的抗蚀剂膜，和在该工艺中，被从底层金属膜蚀刻的金属副产物改性的抗蚀剂膜。此外，在抗蚀剂去除工艺中，该组合物可最小化对底层金属布线的腐蚀。所以它可以非常有效地用于半导体器件如集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路的制造工艺中。

公开(公告)号：CN100578368C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200510102849.0

申请日：2005-09-13

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  郑宗铉 ,  许舜范 ,  金柄郁

IPC: G03F7/42

Abstract: 本发明涉及一种光阻剂剥离液组合物，提供一种包含环形胺、溶剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。并且，本发明还提供一种包含环形胺、溶剂、防腐剂及剥离促进剂的光阻剂剥离液组合物。本发明光阻剂剥离液组合物不仅在适用于现有LCD模块制备中包括异丙醇(以下简称″IPA″)清洗阶段的一般工程时，而且在适用于最近省略IPA清洗阶段的工程时，不存在对金属布线多余的腐蚀影响，特别是可大大提高剥离能力。

公开(公告)号：CN1950755B

公开(公告)日：2011-05-11

申请号：CN200580014564.X

申请日：2005-05-06

Applicant: 株式会社东进世美肯

Inventor： 金柄郁 ,  尹锡壹 ,  金圣培 ,  金玮溶 ,  张锡唱 ,  郑宗铉

IPC: G03F7/32

CPC classification number: G03F7/425 ,  G03F7/426

Abstract: 本发明涉及一种在制作电路或显示器件图形中使用的光刻胶去除剂组合物，更具体地说，涉及一种含有胺、溶剂和防腐剂的光刻胶去除剂组合物，所述防腐剂为选自包括三唑化合物、巯基化合物、含有羟基的有机酚化合物及其混合物的组的至少一种化合物。本发明的光刻胶去除剂组合物能够容易快速地去除光刻胶膜，并且能够使图形化的金属电路的腐蚀降低至最小。