公开(公告)号：CN105762195B

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201610124804.1

申请日：2016-03-04

Applicant: 武汉华星光电技术有限公司

Inventor： 谢应涛

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/44 ,  H01L21/467 ,  H01L21/47573 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制造方法，该制备方法包括以下步骤：提供一基板；在基板上依次形成缓冲层、氧化物膜层、栅极绝缘层和第一金属层；采用一道光罩分别对第一金属层、栅极绝缘层、氧化物膜层进行图形化处理，形成栅极、图形化的栅极绝缘层、氧化物有源层。在本发明的制造方法中，对于氧化物有源层和栅极等膜层结构，采用先沉积、后分别刻蚀的方法，仅需使用一道光罩，即可完成对氧化物有源层和栅极等膜层结构的图形化处理过程。由于能够减少使用光罩的数量，因此本发明能够简化工艺制程、节省工艺时间，有效降低生产成本。

公开(公告)号：CN106128963B

公开(公告)日：2019-07-23

申请号：CN201610849619.9

申请日：2016-09-23

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 王国英 ,  陈江博 ,  宋振

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L21/32105 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78666 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可避免有源层迁移率的降低，提高薄膜晶体管的稳定性。所述薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成有源层，所述有源层包括源极区、漏极区和沟道区；对所述沟道区进行处理，使所述沟道区的载流子浓度降低，以使所述沟道区的载流子浓度保持所述薄膜晶体管的开关特性；形成栅绝缘层、栅电极、钝化层、源电极、漏电极；所述源电极、漏电极至少通过设置在所述钝化层上的过孔，分别与所述源极区和所述漏极区接触。

公开(公告)号：CN106252217B

公开(公告)日：2019-05-24

申请号：CN201610727437.4

申请日：2016-08-25

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 杨维

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/66 ,  H01L29/786 ,  H01L29/41

CPC classification number: H01L27/1262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管制备方法、薄膜晶体管、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法，包括形成栅极、栅绝缘层、有源层、源极、漏极、钝化层和连接电极的步骤，其中：通过一次构图工艺形成包括所述栅极、所述源极、所述漏极、所述有源层和所述栅绝缘层的图形，通过一次构图工艺形成包括所述钝化层及其过孔的图形，并通过一次构图工艺形成包括所述连接电极的图形，使所述源极和所述漏极与所述有源层连接。该薄膜晶体管结构简单，相应的薄膜晶体管的制备方法能够有效减少掩模板数量，提高产能，节省成本。

公开(公告)号：CN109638082A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811519352.2

申请日：2018-12-12

Applicant: 华南理工大学

Inventor： 徐苗 ,  徐华 ,  李美灵 ,  王磊 ,  李民 ,  庞佳威 ,  陈子楷 ,  彭俊彪 ,  邹建华 ,  陶洪

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管以及制备方法，该薄膜晶体管包括：基板；形成在基板上的栅极层、第一绝缘层和有源层；形成在有源层上的图案化的源极和漏极，分别与有源层电连接；形成在图案化的源极和漏极上的有机钝化层，有机钝化层与有源层直接接触；有源层包括金属氧化物，金属氧化物包括铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物，有机钝化层为聚合物有机物材料。本发明的技术方案，有机钝化层与铟的氧化物In2O3和第五副族元素的氧化物MO组成的复合氧化物组成的有源层直接接触，一方面，有机钝化层和有源层直接接触不会对有源层造成施主掺杂的效果，器件正常稳定工作；另一方面，制备工艺简单且成本较低。

公开(公告)号：CN109477206A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201780043223.8

申请日：2017-06-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  中岛基 ,  马场晴之

IPC: C23C14/34 ,  C04B35/01 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01J37/3429 ,  B28B1/008 ,  B28B11/24 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/58 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3852 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/781 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/1368 ,  G02F2203/02 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种新颖的金属氧化物或新颖的溅射靶材。溅射靶材包含导电材料及绝缘材料。绝缘材料包含含有元素M1的氧化物、氮化物或氧氮化物。元素M1为选自Al、Ga、Si、Mg、Zr、Be和B中的一种或多种的元素。导电材料包含含有铟及锌的氧化物、氮化物或氧氮化物。使用导电材料和绝缘材料彼此分离的溅射靶材沉积金属氧化物膜。

公开(公告)号：CN109037352A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201810739256.2

申请日：2018-07-06

Applicant: 浙江大学

Inventor： 林时胜 ,  陆阳华 ,  冯思睿 ,  郝珍珍 ,  延燕飞

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/329 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明涉及绿色能源获取技术领域，公开了一种基于移动肖特基结的直流发电机，由两部分构成：一部分包括半导体衬底层，另一部分包括导电薄膜层，其制备方法是：先在半导体衬底材料背面制作第一电极；再在柔性导电薄膜材料上制作第二电极；之后将柔性的导电薄膜材料层压到半导体衬底表面相互接触移动，即得到基于移动肖特基异质结的直流发电机，相互移动即可得到直流电信号。本发明的基于移动肖特基结的发电机，利用肖特基结区的漂移电荷在内建电场下定向分离，可以将外界的机械能转换为直流电，从而可以为各种电子设备提供可再生的绿色清洁能源。不需要使用压电材料，且器件结构与工艺简单。

公开(公告)号：CN108987466A

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201810669012.1

申请日：2018-06-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 吕建国 ,  吕容恺 ,  李思嵚 ,  叶志镇

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/43 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/02 ,  H01L21/443 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L29/247 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/443 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L29/43 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种柔性衬底n型非晶氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，柔性衬底为有机聚合物衬底，n型ZnAlSnO非晶氧化物薄膜为沟道层。制备步骤为：在有机衬底上生长AZO电极为栅极；再生长150~300 nm的Al2O3绝缘层；再生长非晶ZnAlSnO薄膜为沟道层；对上述薄膜进行后处理，再沉积AZO电极，为源极和漏极；最后，生长一层Al2O3薄膜进行封装，制备出n型非晶ZnAlSnO薄膜晶体管。上述各薄膜层的制备均采用磁控溅射方法实现。本发明制得的柔性n型非晶氧化物半导体薄膜晶体管，具有全透明、迁移率高、不含有In元素、工艺简单、成本低等优点，可用于高端柔性显示屏生产。

公开(公告)号：CN103700707B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201310701255.6

申请日：2013-12-18

Applicant: 京东方科技集团股份有限公司

Inventor： 姜春生 ,  刘威

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法、显示装置，涉及显示技术领域。所述薄膜晶体管的制备方法包括：通过一次构图工艺形成包括源电极、漏电极和有源层的图形，其中，所述源电极、漏电极和有源层同层设置，所述有源层位于所述源电极、所述漏电极之间。本发明的薄膜晶体管、阵列基板的制备工艺流程简单。

公开(公告)号：CN108807550A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810601974.3

申请日：2018-06-12

Applicant: 友达光电股份有限公司

Inventor： 简廷峰 ,  叶柏良 ,  吴振中 ,  张家铭 ,  张君安

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/78609 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括第一基板以设置于第一基板上的薄膜晶体管。薄膜晶体包括栅极、半导体图案、第一绝缘层、源极以及漏极。第一绝缘层设置于栅极与半导体图案之间。源极与漏极彼此分离且各自与半导体图案对应设置。源极与漏极的至少一者具有第一铜图案层与第一氮氧化铜图案层。第一氮氧化铜图案层覆盖第一铜图案层。第一铜图案层设置于第一氮氧化铜图案层与第一基板之间。本发明的半导体装置中，外界水气不易入侵源极与漏极的至少一者的铜图案层，因此本发明的半导体装置的信赖性佳。

公开(公告)号：CN108807177A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201710310410.X

申请日：2017-05-05

Applicant: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 ,  中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

Inventor： 张海洋 ,  陈卓凡

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/08 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66818 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7856 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供基底；在所述基底上形成源漏材料层和位于源漏材料层上的掩膜层，所述掩膜层中具有第一槽，第一槽暴露出部分源漏材料层；在第一槽的侧壁形成保护层；以所述掩膜层和保护层为掩膜，刻蚀第一槽底部的源漏材料层，在源漏材料层中形成贯穿源漏材料层的第二槽；形成第二槽后，去除保护层；去除保护层后，形成沟道材料层和位于沟道材料层上的栅极结构，所述沟道材料层位于第一槽与第二槽的侧壁和底部；形成沟道材料层和栅极结构后，去除掩膜层。所述方法提高了半导体器件电学性能的稳定性。