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公开(公告)号：CN112399999B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201980044957.7
申请日：2019-07-17
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物、化学机械研磨浆料及基板研磨方法，即使减少金属总含量，也可实现等同或更高于传统研磨剂的研磨速度，或者当使用相同于传统的金属总含量时，可实现明显高于传统研磨剂的研磨速度。化学机械研磨组合物包含铁基金属催化剂和镁基金属催化剂，金属催化剂的总含量中铁基金属催化剂的金属含量等于或更多于镁基金属催化剂的金属含量。
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公开(公告)号：CN110536940A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201880026333.8
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。
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公开(公告)号：CN110536940B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201880026333.8
申请日：2018-02-22
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09G1/02 , C09K3/14 , H01L21/306 , H01L21/321
Abstract: 本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物。更具体地，本发明涉及一种用于化学机械研磨的浆料组合物及利用它的半导体基板的研磨方法，使用具有磷酸盐基的化合物作为研磨选择比调节剂且选择性地与所述研磨选择比调节剂一起进一步使用三级胺化合物，与以往相比，可对氮化硅膜等绝缘膜或钨等金属膜单独或同时进行研磨，尤其可调节它们的研磨速度，从而可使半导体元件的层与层之间段差最小化。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN100510969C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200510053816.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/20 , G01N21/35 , H01L21/027
CPC classification number: G01N21/359 , G01N1/2035 , G01N21/05 , G03F7/00 , H01L21/67086 , Y10T436/12
Abstract: 本发明公开了监控光刻过程所用多组分组合物的系统和方法，该光刻过程用于制造半导体器件、液晶显示设备等等，该组合物如光刻胶、剥离剂、显影剂、蚀刻剂、稀释剂、漂洗剂/清洁剂和蚀刻边胶清除剂。所述系统包括：组合物循环装置，其用于从贮存光刻过程所用组合物的储罐中抽取所述组合物，并将所抽取的组合物通过流动池循环回所述储罐；组合物分析装置，其用于测量流经所述流动池的组合物的吸光度，并从所测得的吸光度计算该组合物的至少一种组分的浓度；组分供应装置，其用于在某些组分的浓度低于预定水平时向所述储罐提供所缺乏的组分；及控制装置，其用于根据所述吸光度对所述组分供应装置进行控制，以调节所述组合物的每种组分的浓度。
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公开(公告)号：CN112399999A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201980044957.7
申请日：2019-07-17
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: C09G1/02 , C09G1/04 , C09K3/14 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种化学机械研磨组合物、化学机械研磨浆料及基板研磨方法，即使减少金属总含量，也可实现等同或更高于传统研磨剂的研磨速度，或者当使用相同于传统的金属总含量时，可实现明显高于传统研磨剂的研磨速度。化学机械研磨组合物包含铁基金属催化剂和镁基金属催化剂，金属催化剂的总含量中铁基金属催化剂的金属含量等于或更多于镁基金属催化剂的金属含量。
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公开(公告)号：CN1670624B
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN200510055418.3
申请日：2005-03-17
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/004 , G02F1/136 , H01L21/027
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，为了对薄膜晶体管液晶显示装置的透明导电膜(ITO膜)进行选择性地蚀刻，所用的蚀刻组合物中含有盐酸、醋酸、添加剂及超纯水，它们随时间的变化小，将对于其他的配线的影响最小化，从而实现了对薄膜的稳定蚀刻，且蚀刻速度快，减轻了侧蚀。
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公开(公告)号：CN1667514A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：CN200510053816.1
申请日：2005-03-11
Applicant: 株式会社东进世美肯
IPC: G03F7/20 , G01N21/35 , H01L21/027
CPC classification number: G01N21/359 , G01N1/2035 , G01N21/05 , G03F7/00 , H01L21/67086 , Y10T436/12
Abstract: 本发明公开了监控光刻过程所用多组分组合物的系统和方法，该光刻过程用于制造半导体器件、液晶显示设备等等，该组合物如光刻胶、剥离剂、显影剂、蚀刻剂、稀释剂、漂洗剂/清洁剂和蚀刻边胶清除剂。所述系统包括：组合物循环装置，其用于从贮存光刻过程所用组合物的储罐中抽取所述组合物，并将所抽取的组合物通过流动池循环回所述储罐；组合物分析装置，其用于测量流经所述流动池的组合物的吸光度，并从所测得的吸光度计算该组合物的至少一种组分的浓度；组分供应装置，其用于在某些组分的浓度低于预定水平时向所述储罐提供所缺乏的组分；及控制装置，其用于根据所述吸光度对所述组分供应装置进行控制，以调节所述组合物的每种组分的浓度。
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