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公开(公告)号:CN102569242B
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201210026406.8
申请日:2012-02-07
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/552 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体封装件包括导线架、第一图案化接垫层、第二图案化接垫层、芯片、封装体及屏蔽膜。导线架具有数个第一凹陷部、数个第二凹陷部、外侧面、上表面与下表面。第一凹陷部从上表面往下表面的方向延伸,第二凹陷部从下表面延伸至第一凹陷部。第一图案化接垫层形成于导线架的上表面且延伸至导线架的外侧面。第二图案化接垫层形成于导线架的下表面且延伸至导线架的外侧面。芯片设于对应的第一凹陷部内。封装体包覆芯片及第一图案化接垫层。屏蔽膜覆盖封装体的外表面、第一图案化接垫层的外侧面、导线架的外侧面及第二图案化接垫层的外侧面。
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公开(公告)号:CN102324409B
公开(公告)日:2013-11-20
申请号:CN201110320435.0
申请日:2011-10-11
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/26152 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于一种具有散热结构的半导体封装及其制造方法,该半导体封装包括一第一基板、一第一晶粒、一金属导热件以及一散热件,该第一基板具有一上表面,该第一晶粒设置于该第一基板的上表面,该第一晶粒具有一顶面及一第一接合层,该第一接合层形成于该顶面,该金属导热件设置于该第一晶粒的第一接合层上,该散热件设置于该金属导热件上,该散热件具有一内表面、一第二接合层及一拦坝,该第二接合层及该拦坝形成于该内表面,该第二接合层抵接该金属导热件,该拦坝围绕该该金属导热件,且该拦坝可限位该金属导热件。藉此,可确保该金属导热件在经过后高温工艺时能被限位在该拦坝内,进而可防止该金属导热件因高温而熔融的流动。
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公开(公告)号:CN101866900B
公开(公告)日:2012-03-21
申请号:CN200910134777.6
申请日:2009-04-20
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/48824 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85047 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01079 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种铜制焊线包含一线状部及一非球形块状部。该非球形块状部连接于该线状部,且该非球形块状部的剖面面积大于该线状部的剖面面积。
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公开(公告)号:CN102254901A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201110221312.1
申请日:2011-08-03
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L23/50 , H01L21/768
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/561 , H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/19105 , H01L2224/81 , H01L2924/00
Abstract: 半导体结构包括基板单元、半导体组件、导电性接脚、封装体及防电磁干扰膜。基板单元具有接地端、上表面及下表面。半导体组件及导电性接脚设置于邻近基板单元的上表面,封装体包覆半导体组件且具有第一封装上表面、第二封装上表面及封装侧面,第一封装上表面实质上平行于第二封装上表面,且封装侧面连接第一封装上表面与第二封装上表面。防电磁干扰膜包括上部、侧部及支部,上部覆盖封装体的第一封装上表面,支部覆盖封装体的第二封装上表面,而侧部覆盖封装体的封装侧面。导电性接脚连接基板单元的接地端与防电磁干扰膜的侧部。
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公开(公告)号:CN102064141A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010564617.8
申请日:2010-11-17
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/29 , H01L23/28 , H01L23/00 , H01L23/552 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/561 , H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 在此说明用于遮蔽电磁干扰的半导体装置封装件以及其相关的方法。在一实施例中,一半导体装置封装件包括一接地组件,此接地组件设置邻接于一基板单元的周围并且至少部分延伸于基板单元的上表面和下表面之间。此接地组件包括一凹陷部分,此凹陷部分设置邻接于基板单元的侧向表面。此半导体装置封装件还包括一电磁干扰遮蔽件,此电磁干扰遮蔽件电性地连接至接地组件,并且向内凹进地邻接于接地组件的凹陷部分。
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公开(公告)号:CN102054821A
公开(公告)日:2011-05-11
申请号:CN200910211804.5
申请日:2009-10-30
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L23/552 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/552 , H01L25/0655 , H01L2224/16225 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明关于一种具有内屏蔽体的封装结构及其制造方法。该封装结构包括一基板、数个电子组件、一封胶体、一内屏蔽体及一遮蔽层。该等电子组件位于该基板上。该封胶体位于该基板的一表面上,且包覆该等电子组件,且包括至少一沟槽。该沟槽贯穿该封胶体的一上表面及一下表面,位于该等电子组件之间,且该沟槽的一短边与该封胶体的一侧面之间具有一间距。该内屏蔽体位于该沟槽内,且电性连接至该基板。该遮蔽层覆盖该封胶体及该基板的一侧面,且电性连接该基板及该内屏蔽体。藉此,该内屏蔽体可使该等电子组件之间具有低电磁干扰及高电磁容忍性。
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公开(公告)号:CN101261986A
公开(公告)日:2008-09-10
申请号:CN200810095461.6
申请日:2008-04-23
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Inventor: 陈建成
CPC classification number: H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2924/19105
Abstract: 本发明公开了一种电子元件封装模块、外盖及外盖制造方法。该电子元件封装模块包含一承载器、至少一电子元件及一外盖。该承载器具有一第一区域及一第二区域。该电子元件配置于该承载器的第一区域。该外盖固定于该承载器的第二区域,并包含一内层及一外层,其内层为一非导电材料及其外层为一导电材料所制,且该非导电材料所制的内层覆盖该电子元件和该承载器的整个第一区域。根据本发明的外盖,该非导电材料所制的内层可防止该导电材料所制的外层接触位于该承载器的第一区域(亦即元件区域)上的所有元件。当该电子元件封装模块被测试时,也不会因为施加压力及外力的缘故,造成该导电材料所制的外层接触该被动元件而造成短路现象。
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公开(公告)号:CN101211896A
公开(公告)日:2008-07-02
申请号:CN200610063634.7
申请日:2006-12-27
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L25/00 , H01L25/18 , H01L27/146 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/34 , H04N5/225
CPC classification number: H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一影像感测模块包括一基板、一影像信号处理器、一支撑板、一影像感测芯片以及一盖体。其中,基板表面具有凹槽;而影像信号处理器配置于基板的凹槽中,且与基板电性连接;支撑板则配置于基板的表面上且罩覆凹槽;而影像感测芯片是配置于支撑板上且与基板电性连接;盖体则配置于基板上且罩覆影像感测芯片。
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公开(公告)号:CN101626003B
公开(公告)日:2013-11-27
申请号:CN200910146170.X
申请日:2009-06-11
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/49 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/06 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05083 , H01L2224/05552 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/48847 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/85 , H01L2224/85201 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01025 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/48824 , H01L2924/207 , H01L2924/00012
Abstract: 一种焊线接合结构包含一芯片及一焊线。该芯片包含一基材、至少一第一金属接垫、一重新分配层及至少一第二金属接垫。该第一金属接垫配置于该基材上。该重新分配层具有一第一端及一第二端,该第一端电性连接于该第一金属接垫。该第二金属接垫电性连接于该重新分配层的第二端。该焊线接合于该第二金属接垫。
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公开(公告)号:CN102569242A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201210026406.8
申请日:2012-02-07
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/552 , H01L21/48 , H01L21/50
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 半导体封装件包括导线架、第一图案化接垫层、第二图案化接垫层、芯片、封装体及屏蔽膜。导线架具有数个第一凹陷部、数个第二凹陷部、外侧面、上表面与下表面。第一凹陷部从上表面往下表面的方向延伸,第二凹陷部从下表面延伸至第一凹陷部。第一图案化接垫层形成于导线架的上表面且延伸至导线架的外侧面。第二图案化接垫层形成于导线架的下表面且延伸至导线架的外侧面。芯片设于对应的第一凹陷部内。封装体包覆芯片及第一图案化接垫层。屏蔽膜覆盖封装体的外表面、第一图案化接垫层的外侧面、导线架的外侧面及第二图案化接垫层的外侧面。
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