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公开(公告)号：CN102324409A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110320435.0
申请日：2011-10-11
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/26152 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于一种具有散热结构的半导体封装及其制造方法，该半导体封装包括一第一基板、一第一晶粒、一金属导热件以及一散热件，该第一基板具有一上表面，该第一晶粒设置于该第一基板的上表面，该第一晶粒具有一顶面及一第一接合层，该第一接合层形成于该顶面，该金属导热件设置于该第一晶粒的第一接合层上，该散热件设置于该金属导热件上，该散热件具有一内表面、一第二接合层及一拦坝，该第二接合层及该拦坝形成于该内表面，该第二接合层抵接该金属导热件，该拦坝围绕该该金属导热件，且该拦坝可限位该金属导热件。藉此，可确保该金属导热件在经过后高温工艺时能被限位在该拦坝内，进而可防止该金属导热件因高温而熔融的流动。
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公开(公告)号：CN108231696A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201710385206.4
申请日：2017-05-26
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L23/5387 , H01L21/561 , H01L23/16 , H01L23/3121 , H01L23/3142 , H01L23/58 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L23/14 , H01L23/24 , H01L23/29
Abstract: 一种半导体装置封装包括柔性衬底、电子组件、至少一个柔性部件和封装主体。所述电子组件安置在所述柔性衬底上。所述至少一个柔性部件安置在所述柔性衬底上。所述封装主体囊封所述电子组件并且具有第一部分和通过所述至少一个柔性部件与所述第一部分分离的第二部分。
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公开(公告)号：CN103441081A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310399828.4
申请日：2013-09-05
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明是关于一种半导体组合结构及半导体工艺。该半导体组合结构包括一基板、至少一导体、一挡墙部及一第一芯片。该基板具有至少一电性连接处。该导体位于该电性连接处上。该挡墙部用以顶抵该导体。该第一芯片具有至少一凸块。该第一芯片大致垂直该基板，且该凸块接触该导体。藉此，该凸块与该导体间的接合可靠度可提高，以确保该第一芯片与该基板间的电性连接。
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公开(公告)号：CN110890334A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910857951.3
申请日：2019-09-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L25/065
Abstract: 一种半导体装置封装包括安装到载体的数个中介层，其中所述数个中介层可布置成不规则图案。
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公开(公告)号：CN104347558B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201310336851.9
申请日：2013-08-05
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明涉及一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括基板、芯片阻挡层、元件阻挡层、芯片及框体。基板具有上表面且包括芯片接垫及元件接垫。芯片阻挡层形成于芯片接垫上。元件阻挡层形成于元件接垫上。芯片对应芯片接垫的区域设于基板上并电性连接于芯片接垫。框体形成于基板的上表面的边缘区，框体具有一凹部，凹部露出芯片及元件阻挡层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102543985A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110462781.2
申请日：2011-12-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于一种半导体封装件及其半导体基板结构，该半导体基板结构包括一半导体基板、一电路区、一第一连接垫、一外围连接垫、一中间连接垫、一第二连接垫、一第三连接垫及一第四连接垫。该第一连接垫接近一第一角落，且具有二延伸部。该外围连接垫接近该第三角落，且具有二延伸部。该中间连接垫位于该电路区中间。该第二连接垫接近一第二角落。该第三连接垫接近一第三角落。该第四连接垫接近一第四角落。藉此，不论是水平型晶粒或是垂直型晶粒皆可适用于该电路区，而且只需要少量的导线即可达到串联或并联的效果。
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公开(公告)号：CN112349711A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202010736673.9
申请日：2020-07-28
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L25/16 , H01L23/31 , H01L23/488
Abstract: 本公开涉及一种半导体设备封装，所述半导体设备封装包括载体、第一中介层和第二中介层。所述第二中介层堆叠在所述第一中介层上，并且所述第一中介层安装到所述载体。所述第一中介层和所述第二中介层的组合基本上呈T形。
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公开(公告)号：CN102543985B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201110462781.2
申请日：2011-12-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC classification number: H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于一种半导体封装件及其半导体基板结构，该半导体基板结构包括一半导体基板、一电路区、一第一连接垫、一外围连接垫、一中间连接垫、一第二连接垫、一第三连接垫及一第四连接垫。该第一连接垫接近一第一角落，且具有二延伸部。该外围连接垫接近该第三角落，且具有二延伸部。该中间连接垫位于该电路区中间。该第二连接垫接近一第二角落。该第三连接垫接近一第三角落。该第四连接垫接近一第四角落。藉此，不论是水平型晶粒或是垂直型晶粒皆可适用于该电路区，而且只需要少量的导线即可达到串联或并联的效果。
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公开(公告)号：CN102324409B
公开(公告)日：2013-11-20
申请号：CN201110320435.0
申请日：2011-10-11
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/26152 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2924/15311 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于一种具有散热结构的半导体封装及其制造方法，该半导体封装包括一第一基板、一第一晶粒、一金属导热件以及一散热件，该第一基板具有一上表面，该第一晶粒设置于该第一基板的上表面，该第一晶粒具有一顶面及一第一接合层，该第一接合层形成于该顶面，该金属导热件设置于该第一晶粒的第一接合层上，该散热件设置于该金属导热件上，该散热件具有一内表面、一第二接合层及一拦坝，该第二接合层及该拦坝形成于该内表面，该第二接合层抵接该金属导热件，该拦坝围绕该该金属导热件，且该拦坝可限位该金属导热件。藉此，可确保该金属导热件在经过后高温工艺时能被限位在该拦坝内，进而可防止该金属导热件因高温而熔融的流动。
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