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公开(公告)号:CN102064141B
公开(公告)日:2012-07-04
申请号:CN201010564617.8
申请日:2010-11-17
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/29 , H01L23/28 , H01L23/00 , H01L23/552 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/561 , H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 在此说明用于遮蔽电磁干扰的半导体装置封装件以及其相关的方法。在一实施例中,一半导体装置封装件包括一接地组件,此接地组件设置邻接于一基板单元的周围并且至少部分延伸于基板单元的上表面和下表面之间。此接地组件包括一凹陷部分,此凹陷部分设置邻接于基板单元的侧向表面。此半导体装置封装件还包括一电磁干扰遮蔽件,此电磁干扰遮蔽件电性地连接至接地组件,并且向内凹进地邻接于接地组件的凹陷部分。
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公开(公告)号:CN101807555A
公开(公告)日:2010-08-18
申请号:CN200910134163.8
申请日:2009-04-10
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H05K1/0298 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/09 , H05K1/116 , H05K2201/09781
Abstract: 一种基板结构及应用其的封装结构。基板结构包括数条走线、一基板及数个第一金属块。基板具有相对的一第一表面与一第二表面。此些第一金属块设置于第一表面与第二表面的其中一者,此些第一金属块之间的最小间距为最小工艺间距。
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公开(公告)号:CN102074551B
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201010161959.5
申请日:2010-04-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025
Abstract: 一种半导体装置封装件及其制造方法。一实施例中的半导体装置封装件包括半导体装置、封装体、一组重新分配层及电磁干扰遮蔽。封装体覆盖半导体装置的侧表面、封装体的下表面及半导体装置的下表面。重新分配层邻近于前表面而配置并包括接地组件。接地组件包括连接表面,且连接表面电性暴露邻近于此组重新分配层的至少一侧表面之处。电磁干扰遮蔽邻近于封装体而配置并电性连接接地组件的连接表面。接地组件提供用以将入射至电磁干扰遮蔽的电磁辐射接地的电性路径。
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公开(公告)号:CN101807555B
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN200910134163.8
申请日:2009-04-10
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/13 , H01L23/498 , H01L23/31
CPC classification number: H05K1/0298 , H01L23/3128 , H01L23/49838 , H01L2224/16225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15311 , H05K1/0271 , H05K1/09 , H05K1/116 , H05K2201/09781
Abstract: 一种基板结构及应用其的封装结构。基板结构包括数条走线、一基板及数个第一金属块。基板具有相对的一第一表面与一第二表面。此些第一金属块设置于第一表面与第二表面的其中一者,此些第一金属块之间的最小间距为最小工艺间距。
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公开(公告)号:CN102074551A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN201010161959.5
申请日:2010-04-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L21/56
CPC classification number: H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24137 , H01L2224/24195 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01052 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/19041 , H01L2924/3025
Abstract: 一种半导体装置封装件及其制造方法。一实施例中的半导体装置封装件包括半导体装置、封装体、一组重新分配层及电磁干扰遮蔽。封装体覆盖半导体装置的侧表面、封装体的下表面及半导体装置的下表面。重新分配层邻近于前表面而配置并包括接地组件。接地组件包括连接表面,且连接表面电性暴露邻近于此组重新分配层的至少一侧表面之处。电磁干扰遮蔽邻近于封装体而配置并电性连接接地组件的连接表面。接地组件提供用以将入射至电磁干扰遮蔽的电磁辐射接地的电性路径。
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公开(公告)号:CN102064141A
公开(公告)日:2011-05-18
申请号:CN201010564617.8
申请日:2010-11-17
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/29 , H01L23/28 , H01L23/00 , H01L23/552 , H01L21/50
CPC classification number: H01L24/97 , H01L21/561 , H01L23/552 , H01L2224/16225 , H01L2224/48227 , H01L2224/97 , H01L2924/01029 , H01L2924/12041 , H01L2924/15311 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 在此说明用于遮蔽电磁干扰的半导体装置封装件以及其相关的方法。在一实施例中,一半导体装置封装件包括一接地组件,此接地组件设置邻接于一基板单元的周围并且至少部分延伸于基板单元的上表面和下表面之间。此接地组件包括一凹陷部分,此凹陷部分设置邻接于基板单元的侧向表面。此半导体装置封装件还包括一电磁干扰遮蔽件,此电磁干扰遮蔽件电性地连接至接地组件,并且向内凹进地邻接于接地组件的凹陷部分。
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公开(公告)号:CN101789379A
公开(公告)日:2010-07-28
申请号:CN200910132828.1
申请日:2009-04-17
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56 , H01L21/683 , H01L21/78
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2924/15311
Abstract: 一种封装结构的制造方法。制造方法包括以下步骤。首先,提供一基板。接着,提供数个芯片。再来,电性连接芯片与基板。然后,以一封胶密封芯片,以使芯片与基板形成一封装体。然后,以一真空吸力吸附住封装体,以固定住封装体。然后,沿着相邻的二吸气道之间切割被吸附住的封装体,使其成为数个封装结构。
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