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公开(公告)号：CN114270514A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202080059566.5
申请日：2020-10-12
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/105
Abstract: 一种包括垂直电阻式存储器单元的半导体结构及其制造方法。所述方法包括：在晶体管漏极接触件上方形成牺牲层；在所述牺牲层上方形成第一电介质层；形成穿过所述第一电介质层的单元接触孔；形成穿过所述第一电介质层的接入接触孔并暴露所述牺牲层；去除所述牺牲层由此形成连接所述单元接触孔的底部开口和所述接入接触孔的底部开口的腔体；在所述单元接触孔中通过原子层沉积形成包括接缝的第二电介质层；在所述空腔内形成底部电极，并且所述底部电极与所述漏极接触件、所述第二电介质层和所述接缝接触；以及在所述第一电介质层之上形成顶部电极，并且所述顶部电极与所述第二电介质层和所述接缝接触。
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公开(公告)号：CN119631588A
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202380056866.1
申请日：2023-07-31
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 提供一种具有3D交叉点架构和两倍单元密度的非易失性存储器，其中垂直堆叠的字线与衬底共面(即，平行)延伸，且位线垂直于垂直堆叠的字线延伸。垂直堆叠的字线位于图案化的介电材料堆叠中，该图案化的介电材料堆叠包括交替的第一介电材料层和凹陷的第二介电材料层。第一介电材料层垂直地分离字线的每个垂直堆叠内的每个字线，并且凹陷的第二介电材料层横向地邻近字线定位。介电开关材料层位于每一字线‑位线组合之间。一些位线位于介电材料堆叠中，且一些位线位于层间介电材料层中。
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公开(公告)号：CN119999353A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202380069195.2
申请日：2023-07-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H10D62/10
Abstract: 一种存储器装置，包括衬底及形成于该衬底上的垂直堆叠铁电电容器。当施加恒定电压时，第一铁电电容器具有与第二铁电电容器不同的电容输出。第一电极和第二电极与垂直堆叠的铁电电容器电接触。在一些实例中，第一铁电电容器中的第一电容器板和第二铁电电容器中的第二电容器板具有不同的厚度。不同的厚度允许每个电容器的电容输出产生不同的电场输出。因此，可基于对输出有贡献的每一电容器的不同阈值电压电平来产生不同输出信号的组合。
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公开(公告)号：CN115336126B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202180021003.1
申请日：2021-01-28
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于生产包括与半导体激光器串联集成的双稳态电阻系统(BRS)的增强激光器(ATLAS)的器件和方法。通过利用BRS的突变电阻开关，激光器表现出低于激光阈值的自发发射(SE)的减少/抑制。激光器系统包括半导体激光器以及作为可逆开关操作的BRS。BRS在高阻态下操作，其中半导体激光器低于激光阈值并且以减少的自发发射机制发射，以及在低阻态下操作，其中半导体激光器高于或等于激光阈值并且以受激发射机制发射。作为可逆开关操作的BRS跨两个独立芯片或在单个晶片上串联电连接。BRS是使用绝缘体‑金属转变(IMT)材料形成的或者是使用阈值开关选择器(TSS)形成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117941054A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202280061659.0
申请日：2022-09-07
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L29/08
Abstract: 一种半导体结构包括场效应晶体管(FET)，所述FET具有源极/漏极(36)、与所述源极/漏极(36)接触的接触件(40)和包括导电材料的掩埋电源轨(60)，其中所述掩埋电源轨(60)与所述接触件(40)接触，其中所述掩埋电源轨的最靠近所述接触件(40)的第一部分具有第一厚度，并且其中所述掩埋电源轨(60)的第二部分具有第二厚度，使得所述第一厚度小于所述第二厚度。
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公开(公告)号：CN119654984A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202380056877.X
申请日：2023-06-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种微电子结构，包括：第一堆叠器件结构，包括第一上部器件和第一下部器件；第二堆叠器件结构，包括第二上部器件和第二下部器件；以及隔离柱结构(236)，位于第一和第二堆叠器件结构之间。该隔离柱结构具有接触第一和第二上部器件的上部区段以及接触第一和第二下部器件的下部区段。隔离柱结构的上部区段具有第一宽度，并且隔离柱结构的下部区段具有不同于第一宽度的第二宽度。
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公开(公告)号：CN115803871A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202180048193.6
申请日：2021-06-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/84
Abstract: 本发明的实施例可以包括半导体结构和制造方法。所述半导体结构可包含顶部沟道及底部沟道，其中所述顶部沟道包含多个垂直取向的沟道。底部沟道包括多个水平取向的沟道。所述半导体结构可以包括围绕所述顶部沟道和所述底部沟道的栅极。所述半导体结构可以包括位于所述栅极的每一侧上的间隔物。第一间隔物包括位于多个垂直取向的沟道之间的电介质材料。第二间隔物包括位于多个水平取向的沟道之间的电介质材料。这可以实现在垂直间隔物之间形成间隔物。
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公开(公告)号：CN115336126A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202180021003.1
申请日：2021-01-28
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种用于生产包括与半导体激光器串联集成的双稳态电阻系统(BRS)的增强激光器(ATLAS)的器件和方法。通过利用BRS的突变电阻开关，激光器表现出低于激光阈值的自发发射(SE)的减少/抑制。激光器系统包括半导体激光器以及作为可逆开关操作的BRS。BRS在高阻态下操作，其中半导体激光器低于激光阈值并且以减少的自发发射机制发射，以及在低阻态下操作，其中半导体激光器高于或等于激光阈值并且以受激发射机制发射。作为可逆开关操作的BRS跨两个独立芯片或在单个晶片上串联电连接。BRS是使用绝缘体‑金属转变(IMT)材料形成的或者是使用阈值开关选择器(TSS)形成的。
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