公开(公告)号：CN118202819A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202280062445.5

申请日：2022-09-13

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 吴恒 ,  D·侯萨梅丁 ,  黄淮 ,  周天骥

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/01

Abstract: 第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，以及在过孔上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱。第一后段(BEOL)层，包括围绕BEOL金属层的BEOL电介质层；第二BEOL层，包括围绕过孔的过孔电介质层，过孔包括由衬垫分隔开的上金属柱和下金属柱；在过孔上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠。形成作为第二后段(BEOL)层的过孔电介质层、开口、开口中的下金属柱、下金属柱上和开口的暴露侧表面上的衬垫、所述开口的剩余部分中的上金属柱，以及形成在上方对准的磁性隧道结(MTJ)堆叠。

公开(公告)号：CN117898042A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202280058006.7

申请日：2022-08-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  D·侯萨梅丁 ,  程慷果 ,  J·弗鲁吉尔 ,  B·多里斯

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/01 ,  H10B61/00

Abstract: 一种存储器器件，所述存储器器件包括定位在电极(55)上的磁阻随机存取存储器(MRAM)堆叠(50)、与所述电极接触的金属线(60)、以及邻接所述MRAM堆叠的侧壁间隔体(47)。该存储器器件还包括台阶形穿通导体(43)，该台阶形穿通导体具有位于定位在侧壁间隔体与金属线之间的底切区域中的台阶形穿通导体的第一高度部分、以及具有比第一高度部分更大的高度尺寸并邻接侧壁间隔体的外侧壁的第二高度部分。

公开(公告)号：CN116998238A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202280021117.0

申请日：2022-03-07

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： Y·米尼奥 ,  O·范德斯特拉滕 ,  D·侯萨梅丁

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 提供一种半导体器件。所述半导体器件包括基底层、形成在所述基底层上的第一MRAM器件和形成在所述基底层上的第二MRAM器件。所述第一MRAM器件具有与所述第二MRAM器件不同的性能特性。