公开(公告)号：CN106024887B

公开(公告)日：2019-08-09

申请号：CN201610176485.9

申请日：2016-03-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴拉克里施南 ,  程慷果 ,  P·哈舍米 ,  A·雷兹奈斯克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请的各实施例涉及半导体器件及其形成方法。本发明的实施例包括一种用于制作纳米带晶体管器件的方法和所得结构。提供了一种纳米带晶体管器件，该纳米带晶体管器件包括衬底、纳米带沟道、在纳米带沟道的中心中的芯区域、在纳米带沟道周围形成的栅极、在栅极的每个侧壁上形成的间隔物以及与每个间隔物相邻外延地形成的源极和漏极区域。有选择地蚀刻在纳米带沟道的中心中的芯区域。在纳米带沟道的暴露的部分上沉积电介质材料。在纳米带沟道的芯内的电介质材料上和与纳米带晶体管器件相邻地在衬底上形成反向偏置控制区域。在反向偏置控制区域中形成金属触点。

公开(公告)号：CN106024887A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610176485.9

申请日：2016-03-24

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K·巴拉克里施南 ,  程慷果 ,  P·哈舍米 ,  A·雷兹奈斯克

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请的各实施例涉及半导体器件及其形成方法。本发明的实施例包括一种用于制作纳米带晶体管器件的方法和所得结构。提供了一种纳米带晶体管器件，该纳米带晶体管器件包括衬底、纳米带沟道、在纳米带沟道的中心中的芯区域、在纳米带沟道周围形成的栅极、在栅极的每个侧壁上形成的间隔物以及与每个间隔物相邻外延地形成的源极和漏极区域。有选择地蚀刻在纳米带沟道的中心中的芯区域。在纳米带沟道的暴露的部分上沉积电介质材料。在纳米带沟道的芯内的电介质材料上和与纳米带晶体管器件相邻地在衬底上形成反向偏置控制区域。在反向偏置控制区域中形成金属触点。