公开(公告)号：CN103811535A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310545981.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德股份有限公司

Inventor： A.卡基菲鲁兹 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  S.庞诺思 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  蔡秀雨 ,  谢瑞龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。

公开(公告)号：CN103811535B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310545981.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德股份有限公司

Inventor： A.卡基菲鲁兹 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  S.庞诺思 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  蔡秀雨 ,  谢瑞龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。

公开(公告)号：CN103811552B

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201310535821.0

申请日：2013-11-01

Applicant: 格罗方德股份有限公司

Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  P.C.贾米森 ,  A.卡基菲鲁兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。