公开(公告)号：CN110637367A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880033250.1

申请日：2018-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·波尔格恩达赫尔 ,  E·迷尔乐尔 ,  F·L·利尔 ,  S·特涵 ,  程慷果 ,  J·R·斯普瑞尔 ,  G·卡尔维

IPC: H01L27/04

Abstract: 实施例针对具有超长沟道的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底上形成一对半导体鳍片。在衬底上的半导体鳍之间形成半导体柱。在所有半导体鳍下方和部分半导体柱下方延伸的区域掺杂。在半导体鳍片的沟道区域和半导体柱上方形成导电栅极。当栅极被激活时，半导体柱的表面用作扩展的沟道。

公开(公告)号：CN110637367B

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN201880033250.1

申请日：2018-05-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： M·波尔格恩达赫尔 ,  E·迷尔乐尔 ,  F·L·利尔 ,  S·特涵 ,  程慷果 ,  J·R·斯普瑞尔 ,  G·卡尔维

IPC: H01L27/04

Abstract: 实施例针对具有超长沟道的垂直场效应晶体管(VFET)的方法和所得结构。在衬底上形成一对半导体鳍片。在衬底上的半导体鳍之间形成半导体柱。在所有半导体鳍下方和部分半导体柱下方延伸的区域掺杂。在半导体鳍片的沟道区域和半导体柱上方形成导电栅极。当栅极被激活时，半导体柱的表面用作扩展的沟道。