公开(公告)号：CN105190853A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480023493.9

申请日：2014-10-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  S·A·西格 ,  T·E·斯坦达尔特 ,  Y·尹

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/6681 ,  Y02P80/30

Abstract: 诸如通过在反应离子蚀刻期间交替气体来循环地交替蚀刻剂，交替地并循环地对形成finFET的鳍的半导体材料和介于所述鳍之间的局部隔离材料的交错的结构执行蚀刻。当半导体材料和局部隔离材料的一个在半导体材料和局部隔离材料的另一个之上突起一段预设的距离时，优选将蚀刻剂替换。由于突起的表面比凹进的表面蚀刻得更快，整体蚀刻处理加快，并且以更少的时间完成，使得对其它材料(蚀刻剂对其选择性不理想)的侵蚀减少并且允许改进对沟槽的蚀刻以形成改进的隔离结构。