公开(公告)号：CN104136994B

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：CN201280070393.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·C·阿诺德 ,  S·D·伯恩斯 ,  S·J·福尔摩斯 ,  D·V·霍拉克 ,  M·桑卡拉潘迪恩 ,  Y·尹

IPC: G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00

Abstract: 使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化，该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。

公开(公告)号：CN105190853A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201480023493.9

申请日：2014-10-23

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·K·卡纳卡萨巴帕西 ,  S·A·西格 ,  T·E·斯坦达尔特 ,  Y·尹

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L29/6681 ,  Y02P80/30

Abstract: 诸如通过在反应离子蚀刻期间交替气体来循环地交替蚀刻剂，交替地并循环地对形成finFET的鳍的半导体材料和介于所述鳍之间的局部隔离材料的交错的结构执行蚀刻。当半导体材料和局部隔离材料的一个在半导体材料和局部隔离材料的另一个之上突起一段预设的距离时，优选将蚀刻剂替换。由于突起的表面比凹进的表面蚀刻得更快，整体蚀刻处理加快，并且以更少的时间完成，使得对其它材料(蚀刻剂对其选择性不理想)的侵蚀减少并且允许改进对沟槽的蚀刻以形成改进的隔离结构。

公开(公告)号：CN104136994A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070393.2

申请日：2012-12-20

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： J·C·阿诺德 ,  S·D·伯恩斯 ,  S·J·福尔摩斯 ,  D·V·霍拉克 ,  M·桑卡拉潘迪恩 ,  Y·尹

IPC: G03F1/68 ,  G03F1/80 ,  G03F7/20

CPC classification number: H01L23/5226 ,  G03F7/0035 ,  G03F7/091 ,  G03F7/094 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3088 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24355 ,  H01L2924/00

Abstract: 使用线图案对互连级电介质层之上的第一金属硬掩模层图案化。至少一个电介质材料层、第二金属硬掩模层、第一有机平面化层(OPL)以及第一光刻胶被施加在第一金属硬掩模层之上。第一通路图案被从所述第一光刻胶层转移到所述第二金属硬掩模层。第二OPL和第二光刻胶层被施加并使用第二通路图案进行图案化，该第二通路图案被转移到所述第二金属硬掩模层内。第一和第二通路图案的第一合成图案被转移到所述至少一个电介质材料层内。使用第一金属硬掩模层中的开口区域限制第一合成图案的第二合成图案被转移到互连级电介质材料层内。