-
公开(公告)号：CN100517621C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200580046544.0
申请日：2005-12-02
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/4763
CPC classification number: H01L21/76852 , H01L21/288 , H01L21/2885 , H01L21/76885 , H01L23/5226 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造互连的方法包括如下步骤：在介质材料中提供互连结构，凹进介质材料，以使互连结构的一部分在介质的上表面上延伸；以及在互连结构的延伸部分上沉积包覆层。
-
公开(公告)号：CN104051272A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095311.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及应力增强的finFET器件。具有增强的应变的非平面半导体包括衬底以及形成在所述衬底的表面上的至少一个半导电鳍。栅极叠层形成在所述至少一个半导电鳍的一部分上。应力衬里形成在所述栅极叠层和所述至少一个半导电鳍的多个侧壁中的至少每一个侧壁之上。所述应力衬里至少向所述至少一个半导电鳍的沟道区、源极区和漏极区赋予应力。所述沟道区位于所述栅极叠层下方的至少一个半导电鳍中。
-
公开(公告)号：CN104247016B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201280062604.8
申请日：2012-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L29/6656 , H01L29/66795
Abstract: 鳍片FET和用于制造具有凹陷的应力衬里的鳍片FET的方法。一种方法包括提供具有鳍片的SOI衬底，在所述鳍片上形成栅极，在所述栅极上形成偏移隔离物，外延生长膜以合并所述鳍片，在所述栅极周围沉积虚设隔离物，以及使得合并的外延膜凹陷。然后在所述凹陷的合并外延膜上形成硅化物，之后在鳍片FET上沉积应力衬里。通过使用凹陷合并外延工艺，可以形成具有垂直(即，垂直于衬底)硅化物的MOSFET。所述垂直硅化物改善了扩展电阻。
-
公开(公告)号：CN104488079A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201280064723.7
申请日：2012-12-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L29/66795
Abstract: 提供了一种用于制造finFET器件的方法。在BOX层之上形成鳍结构。所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸。栅极叠层形成在所述鳍结构上方的所述BOX层上，并且在第二方向上延伸。所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极。在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔物，并且沉积外延层以合并所述鳍结构。注入离子以形成源极区和漏极区，并且在所述栅极间隔物的侧壁上形成伪间隔物。使用所述伪间隔物作为掩膜来使外延层的暴露部分凹陷或者完全去除。硅化形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的垂直侧壁上的垂直部分。
-
公开(公告)号：CN104282770B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
Abstract: 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051272B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410095311.0
申请日：2014-03-14
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
CPC classification number: H01L27/1211 , H01L29/66795 , H01L29/7843 , H01L29/785
Abstract: 本发明涉及应力增强的finFET器件。具有增强的应变的非平面半导体包括衬底以及形成在所述衬底的表面上的至少一个半导电鳍。栅极叠层形成在所述至少一个半导电鳍的一部分上。应力衬里形成在所述栅极叠层和所述至少一个半导电鳍的多个侧壁中的至少每一个侧壁之上。所述应力衬里至少向所述至少一个半导电鳍的沟道区、源极区和漏极区赋予应力。所述沟道区位于所述栅极叠层下方的至少一个半导电鳍中。
-
公开(公告)号：CN103456642B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201310217162.6
申请日：2013-06-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/8238
Abstract: 本发明涉及制造场效应晶体管的方法和设备。描述了一种用于制造双外延鳍片FET的方法。该方法包括向鳍片阵列添加第一外延材料。该方法也包括使用第一掩蔽材料覆盖鳍片阵列的至少第一部分以及从鳍片阵列的未被覆盖的部分除去第一外延材料。该方法中包括向鳍片阵列的未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料。该方法也包括使用第二掩蔽材料覆盖鳍片阵列的第二部分，以及使用第一掩蔽材料和第二掩蔽材料进行定向蚀刻。也描述了设备和计算机程序产品。
-
公开(公告)号：CN104488079B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201280064723.7
申请日：2012-12-24
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/12 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/41791 , H01L29/66795
Abstract: 提供了一种用于制造finFET器件的方法。在BOX层之上形成鳍结构。所述鳍结构包括半导体层并且在第一方向上延伸。栅极叠层形成在所述鳍结构上方的所述BOX层上，并且在第二方向上延伸。所述栅极叠层包括高K电介质层和金属栅极。在所述栅极叠层的侧壁上形成栅极间隔物，并且沉积外延层以合并所述鳍结构。注入离子以形成源极区和漏极区，并且在所述栅极间隔物的侧壁上形成伪间隔物。使用所述伪间隔物作为掩膜来使外延层的暴露部分凹陷或者完全去除。硅化形成邻接所述源极区和漏极区的硅化物区，每一个所述硅化物区包括位于所述源极区或漏极区的垂直侧壁上的垂直部分。
-
公开(公告)号：CN104282770A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410309128.6
申请日：2014-06-30
Applicant: 国际商业机器公司
CPC classification number: H01L27/0262 , H01L21/84 , H01L27/0744 , H01L27/075 , H01L27/1203 , H01L29/66121 , H01L29/66181 , H01L29/66371 , H01L29/7408 , H01L29/87 , H01L29/945
Abstract: 包括硅控整流器的器件结构和设计结构以及用于这样的器件结构的制作方法。在绝缘体上硅衬底的器件层中形成阱。形成包括该阱中的阳极的硅控整流器。形成包括与该阱相耦合的板面的深沟槽电容器。该深沟槽电容器的板面从器件层通过该绝缘体上硅衬底的掩埋绝缘体层延伸并且延伸到该绝缘体上硅衬底的承载晶片之中。
-
公开(公告)号：CN104247016A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201280062604.8
申请日：2012-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L27/088
CPC classification number: H01L29/7843 , H01L29/6656 , H01L29/66795
Abstract: 鳍片FET和用于制造具有凹陷的应力衬里的鳍片FET的方法。一种方法包括提供具有鳍片的SOI衬底，在所述鳍片上形成栅极，在所述栅极上形成偏移隔离物，外延生长膜以合并所述鳍片，在所述栅极周围沉积虚设隔离物，以及使得合并的外延膜凹陷。然后在所述凹陷的合并外延膜上形成硅化物，之后在鳍片FET上沉积应力衬里。通过使用凹陷合并外延工艺，可以形成具有垂直(即，垂直于衬底)硅化物的MOSFET。所述垂直硅化物改善了扩展电阻。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.018 seconds)
