公开(公告)号：CN103456642B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201310217162.6

申请日：2013-06-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  卜惠明 ,  程慷果 ,  B·S·哈兰 ,  N·罗贝特 ,  S·波诺斯 ,  S·施密茨 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  山下典洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及制造场效应晶体管的方法和设备。描述了一种用于制造双外延鳍片FET的方法。该方法包括向鳍片阵列添加第一外延材料。该方法也包括使用第一掩蔽材料覆盖鳍片阵列的至少第一部分以及从鳍片阵列的未被覆盖的部分除去第一外延材料。该方法中包括向鳍片阵列的未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料。该方法也包括使用第二掩蔽材料覆盖鳍片阵列的第二部分，以及使用第一掩蔽材料和第二掩蔽材料进行定向蚀刻。也描述了设备和计算机程序产品。

公开(公告)号：CN103456642A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201310217162.6

申请日：2013-06-03

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： V·S·巴斯克 ,  卜惠明 ,  程慷果 ,  B·S·哈兰 ,  N·罗贝特 ,  S·波诺斯 ,  S·施密茨 ,  T·E·斯坦德尔特 ,  山下典洪

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/66795 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6681

Abstract: 本发明涉及制造场效应晶体管的方法和设备。描述了一种用于制造双外延鳍片FET的方法。该方法包括向鳍片阵列添加第一外延材料。该方法也包括使用第一掩蔽材料覆盖鳍片阵列的至少第一部分以及从鳍片阵列的未被覆盖的部分除去第一外延材料。该方法中包括向鳍片阵列的未被覆盖的部分中的鳍片添加第二外延材料。该方法也包括使用第二掩蔽材料覆盖鳍片阵列的第二部分，以及使用第一掩蔽材料和第二掩蔽材料进行定向蚀刻。也描述了设备和计算机程序产品。