公开(公告)号：CN104576370B

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201410551194.4

申请日：2014-10-17

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： W·J·考泰 ,  L·艾克诺米克斯 ,  S·波诺斯 ,  T·E·斯坦达尔特 ,  C·V·苏里塞蒂 ,  谢瑞龙

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823864

Abstract: 提供了形成晶体管的方法。该方法包括形成多个晶体管结构以便在衬底上具有多个伪栅极。每个伪栅极由小于伪栅极并且对于不同晶体管结构不同的高度的侧壁间隔件围绕，结果得到侧壁间隔件之上的不同深度的凹坑。该方法然后在伪栅极之上以及在多个晶体管结构的凹坑内沉积保形的电介质层，其中该保形的电介质层的厚度为凹坑的宽度的至少一半，仅仅去除保形的电介质层的在伪栅极之上的部分来暴露伪栅极；以及用多个高k金属栅替换伪栅极。

公开(公告)号：CN104576370A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410551194.4

申请日：2014-10-17

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德半导体股份有限公司

Inventor： W·J·考泰 ,  L·艾克诺米克斯 ,  S·波诺斯 ,  T·E·斯坦达尔特 ,  C·V·苏里塞蒂 ,  谢瑞龙

IPC: H01L21/335

CPC classification number: H01L21/823828 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823864

Abstract: 提供了形成晶体管的方法。该方法包括形成多个晶体管结构以便在衬底上具有多个伪栅极。每个伪栅极由小于伪栅极并且对于不同晶体管结构不同的高度的侧壁间隔件围绕，结果得到侧壁间隔件之上的不同深度的凹坑。该方法然后在伪栅极之上以及在多个晶体管结构的凹坑内沉积保形的电介质层，其中该保形的电介质层的厚度为凹坑的宽度的至少一半，仅仅去除保形的电介质层的在伪栅极之上的部分来暴露伪栅极；以及用多个高k金属栅替换伪栅极。