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公开(公告)号：CN105870061A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610076671.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
CPC classification number: H01L27/1207 , H01L21/02532 , H01L21/3086 , H01L21/76283 , H01L21/8238 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/1054 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795
Abstract: 描述了一种在包括p型场效应晶体管(pFET)装置和n型场效应晶体管(nFET)装置的双重隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)装置中形成鳍的方法以及具有双重隔离的CMOS装置。所述CMOS装置包括n型场效应晶体管(nFET)区域，所述nFET区域包括由应变硅构成的一个或多个鳍，所述nFET区域中的所述一个或多个鳍形成在绝缘体上。所述CMOS装置还包括p型场效应晶体管(pFET)区域，所述pFET区域包括在外延生长的硅上的、由硅(Si)或硅锗(SiGe)构成的一个或多个鳍，并且所述pFET区域包括浅沟道隔离(STI)填充以使所述pFET区域中的所述一个或多个鳍彼此隔离。
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公开(公告)号：CN103811535A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L21/28008 , H01L29/0603 , H01L29/4232
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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公开(公告)号：CN103811552A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201310535821.0
申请日：2013-11-01
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L29/66553 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L2924/0002 , H01L29/0603 , H01L29/66007 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。
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公开(公告)号：CN103518253A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201280022045.8
申请日：2012-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76802 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823425 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L27/1104 , H01L29/41783 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7834
Abstract: 采用公用的切割掩模限定栅极图案和局部互连图案，使局部互连结构和栅极结构彼此以零覆盖变体形成。局部互连结构可在第一水平方向上与栅极结构横向分隔，并且在与第一水平方向不同的第二水平方向上接触另一个栅极结构。此外，栅极结构可形成为与邻接该栅极结构的局部互连结构共线。局部互连结构和栅极结构通过公用的镶嵌工艺步骤形成，使栅极结构和局部互连结构的顶表面彼此共面。
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公开(公告)号：CN105870061B
公开(公告)日：2018-10-12
申请号：CN201610076671.5
申请日：2016-02-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 描述了一种在包括p型场效应晶体管(pFET)装置和n型场效应晶体管(nFET)装置的双重隔离互补金属氧化物半导体(CMOS)装置中形成鳍的方法以及具有双重隔离的CMOS装置。所述CMOS装置包括n型场效应晶体管(nFET)区域，所述nFET区域包括由应变硅构成的一个或多个鳍，所述nFET区域中的所述一个或多个鳍形成在绝缘体上。所述CMOS装置还包括p型场效应晶体管(pFET)区域，所述pFET区域包括在外延生长的硅上的、由硅(Si)或硅锗(SiGe)构成的一个或多个鳍，并且所述pFET区域包括浅沟道隔离(STI)填充以使所述pFET区域中的所述一个或多个鳍彼此隔离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103715261B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310447383.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851
Abstract: 通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。
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公开(公告)号：CN103872131A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310629718.2
申请日：2013-11-29
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/41791 , H01L29/785
Abstract: 本发明实施例包括具有外延生长的合并源极/漏极的多鳍型场效应晶体管结构及其形成方法。实施例可包括在基底基板上方的外延绝缘体层，在该外延绝缘体层上方的栅极结构，在该栅极结构下方的半导体鳍，以及在该外延绝缘体层上、邻近该半导体鳍的该端部的外延源极/漏极区域。该外延绝缘体层可以由生长于半导体基底基板上的外延稀土氧化物形成。实施例还可包括在半导体鳍的端部上、位于半导体鳍端部和外延源极/漏极区域之间的鳍延伸区域。在一些实施例中，在栅极结构下方的半导体鳍的端部可以形成凹陷。
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公开(公告)号：CN103811535B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201310545981.3
申请日：2013-11-06
Applicant: 国际商业机器公司 , 格罗方德股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。
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公开(公告)号：CN103518253B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201280022045.8
申请日：2012-01-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L27/0207 , H01L21/28518 , H01L21/76802 , H01L21/76895 , H01L21/76897 , H01L21/823425 , H01L21/823437 , H01L21/823475 , H01L27/1104 , H01L29/41783 , H01L29/66545 , H01L29/6659 , H01L29/7834
Abstract: 采用公用的切割掩模限定栅极图案和局部互连图案，使局部互连结构和栅极结构彼此以零覆盖变体形成。局部互连结构可在第一水平方向上与栅极结构横向分隔，并且在与第一水平方向不同的第二水平方向上接触另一个栅极结构。此外，栅极结构可形成为与邻接该栅极结构的局部互连结构共线。局部互连结构和栅极结构通过公用的镶嵌工艺步骤形成，使栅极结构和局部互连结构的顶表面彼此共面。
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公开(公告)号：CN103715261A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310447383.2
申请日：2013-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/02
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/02529 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/0649 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/161 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/785 , H01L29/7851 , H01L29/66068
Abstract: 通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。
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