公开(公告)号：CN103811535A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310545981.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德股份有限公司

Inventor： A.卡基菲鲁兹 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  S.庞诺思 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  蔡秀雨 ,  谢瑞龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/28008 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/4232

Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。

公开(公告)号：CN103872131A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310629718.2

申请日：2013-11-29

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果 ,  A.卡基菲鲁兹 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  T.N.亚当

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/08 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明实施例包括具有外延生长的合并源极/漏极的多鳍型场效应晶体管结构及其形成方法。实施例可包括在基底基板上方的外延绝缘体层，在该外延绝缘体层上方的栅极结构，在该栅极结构下方的半导体鳍，以及在该外延绝缘体层上、邻近该半导体鳍的该端部的外延源极/漏极区域。该外延绝缘体层可以由生长于半导体基底基板上的外延稀土氧化物形成。实施例还可包括在半导体鳍的端部上、位于半导体鳍端部和外延源极/漏极区域之间的鳍延伸区域。在一些实施例中，在栅极结构下方的半导体鳍的端部可以形成凹陷。

公开(公告)号：CN103811535B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310545981.3

申请日：2013-11-06

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格罗方德股份有限公司

Inventor： A.卡基菲鲁兹 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  S.庞诺思 ,  A.雷兹尼塞克 ,  R.斯里尼瓦桑 ,  蔡秀雨 ,  谢瑞龙

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供了一种保护半导体鳍不受侵蚀的电介质金属化合物衬层，其可在形成可去除栅极结构前沉积在半导体鳍上。在图案化可去除栅极结构和栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层保护半导体鳍。电介质金属化合物衬层可在形成源极区域和漏极区域以及置换栅极结构前去除。作为选择，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和栅极堆叠上，并且可在形成栅极间隙壁后去除。此外，电介质金属化合物衬层可沉积在半导体鳍和可去除栅极结构上，并且可在形成栅极间隙壁且去除可去除栅极结构后去除。在每个实施例中，在形成栅极间隙壁期间，电介质金属化合物衬层可保护半导体鳍。