公开(公告)号：CN103811552A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310535821.0

申请日：2013-11-01

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： A.雷兹尼塞克 ,  T.N.亚当 ,  程慷果 ,  P.C.贾米森 ,  A.卡基菲鲁兹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/66007 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置为鳍场效应晶体管，包括在基板上的多个鳍结构以及在多个鳍结构的沟道部分上的共享栅极结构。该鳍场效应晶体管还包括外延半导体材料，其具有在多个鳍结构中的相邻鳍结构之间的第一部分和存在于该多个鳍结构的端部鳍结构的最外侧壁上的第二部分。外延半导体材料对多个鳍结构的每个鳍结构提供源极区域和漏极区域。氮化物包含间隔体设置在外延半导体材料的第二部分的最外侧壁上。