公开(公告)号：CN103715261B

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201310447383.2

申请日：2013-09-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K.程 ,  T.N.亚当 ,  A.卡基菲鲁兹 ,  A.瑞兹尼塞克

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851

Abstract: 通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。

公开(公告)号：CN103715261A

公开(公告)日：2014-04-09

申请号：CN201310447383.2

申请日：2013-09-27

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： K.程 ,  T.N.亚当 ,  A.卡基菲鲁兹 ,  A.瑞兹尼塞克

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/16 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/66068

Abstract: 通过凹陷包括第一半导体材料的半导体材料层以形成沟槽，并且在沟槽内外延沉积第一半导体材料和第二半导体材料的半导体合金材料可以形成半导体合金鳍片结构。半导体合金材料与半导体材料层中的第一半导体材料外延对齐。包括第一半导体材料的第一半导体鳍片和包括半导体合金材料的第二半导体鳍片可以同时形成。在一个实施例中，第一半导体鳍片和第二半导体鳍片可以形成在绝缘层上，防止第二半导体材料向第一半导体鳍片扩散。在另一个实施例中，采用浅沟槽隔离结构和反向偏置阱可以在相邻的半导体鳍片之间提供电隔离。