公开(公告)号：CN110892523B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN201880047408.0

申请日：2018-07-16

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格芯公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 范淑贞 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  A·格林 ,  谢瑞龙 ,  M·V·雷蒙德 ,  S·连

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了通过在形成触点之前形成栅极侧壁间隔物和栅极来形成自对准触点的技术。在一个方面，一种形成自对准触点的方法包括以下步骤：在衬底上形成多个栅极侧壁间隔物；将栅极侧壁间隔物埋入电介质中；通过从栅极侧壁间隔物之间的将要形成栅极的区域选择性地去除电介质来形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极；通过选择性地从栅极侧壁间隔物之间的将要形成自对准触点的区域去除电介质来形成触点沟槽；在触点沟槽中形成自对准触点。还提供了具有自对准触点的器件结构。

公开(公告)号：CN110892523A

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201880047408.0

申请日：2018-07-16

Applicant: 国际商业机器公司 ,  格芯公司 ,  三星电子株式会社

Inventor： 范淑贞 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  A·格林 ,  谢瑞龙 ,  M·V·雷蒙德 ,  S·连

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了通过在形成触点之前形成栅极侧壁间隔物和栅极来形成自对准触点的技术。在一个方面，一种形成自对准触点的方法包括以下步骤：在衬底上形成多个栅极侧壁间隔物；将栅极侧壁间隔物埋入电介质中；通过从栅极侧壁间隔物之间的将要形成栅极的区域选择性地去除电介质来形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成栅极；通过选择性地从栅极侧壁间隔物之间的将要形成自对准触点的区域去除电介质来形成触点沟槽；在触点沟槽中形成自对准触点。还提供了具有自对准触点的器件结构。

公开(公告)号：CN110235224A

公开(公告)日：2019-09-13

申请号：CN201880008882.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·梅赫塔 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  毕振兴 ,  T·德瓦拉詹 ,  M·桑卡拉潘迪安

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种垂直传输鳍场效应晶体管(VT FinFET)，包括衬底的表面上的一个或多个垂直鳍；在衬底上的L形或U形间隔槽，邻接所述一个或多个垂直鳍中的至少一个；和栅极介电层，位于所述一个或多个垂直鳍的至少一个和所述L形或U形间隔槽的侧壁上。

公开(公告)号：CN101119823B

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200580047087.7

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·C·安德里卡科斯 ,  D·F·卡纳佩里 ,  E·I·库珀 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  L·埃科诺米可斯 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  S·弗朗兹 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  M·克里希南 ,  A·P·曼森 ,  E·G·沃尔顿 ,  A·C·韦斯特

IPC: B23H3/00

CPC classification number: C25F3/02 ,  B23H5/08 ,  C09G1/04 ,  H01L21/32125

Abstract: 提供了用于硅片互连材料(例如铜)的电-化学-机械抛光(e-CMP)的方法和组合物。该方法包括与具有多种构造的垫一起使用本发明的组合物。

公开(公告)号：CN118476022A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202280086119.8

申请日：2022-11-22

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 ,  崔起植 ,  S·戈什 ,  S·穆克什 ,  朱文熙 ,  杨敏贤 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  卜惠明 ,  赵凯 ,  J·C·阿诺德 ,  B·安德森 ,  郭德超

IPC: H01L23/528

Abstract: 一种装置包括第一互连结构、第二互连结构、包括第一晶体管的第一单元、包括第二晶体管的第二单元、将第一晶体管的源极/漏极元件连接到第一互连结构的第一接触、以及将第二晶体管的源极/漏极元件连接到第二互连结构的第二接触。第一单元被设置为与第二单元相邻，第一晶体管被设置为与第二晶体管相邻。第一和第二单元设置在第一和第二互连结构之间。

公开(公告)号：CN110235224B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201880008882.2

申请日：2018-01-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： S·梅赫塔 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  毕振兴 ,  T·德瓦拉詹 ,  M·桑卡拉潘迪安

IPC: H01L21/28

Abstract: 一种垂直传输鳍场效应晶体管(VT FinFET)，包括衬底的表面上的一个或多个垂直鳍；在衬底上的L形或U形间隔槽，邻接所述一个或多个垂直鳍中的至少一个；和栅极介电层，位于所述一个或多个垂直鳍的至少一个和所述L形或U形间隔槽的侧壁上。

公开(公告)号：CN101119823A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200580047087.7

申请日：2005-12-02

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： P·C·安德里卡科斯 ,  D·F·卡纳佩里 ,  E·I·库珀 ,  J·M·科特 ,  H·德利吉安尼 ,  L·埃科诺米可斯 ,  D·C·埃德尔斯坦 ,  S·弗朗兹 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦 ,  M·克里希南 ,  A·P·曼森 ,  E·G·沃尔顿 ,  A·C·韦斯特

IPC: B23H3/00

CPC classification number: C25F3/02 ,  B23H5/08 ,  C09G1/04 ,  H01L21/32125

Abstract: 提供了用于硅片互连材料(例如铜)的电－化学－机械抛光(e－CMP)的方法和组合物。该方法包括与具有多种构造的垫一起使用本发明的组合物。

公开(公告)号：CN108206158A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201711026477.7

申请日：2017-10-27

Applicant: 格芯公司

Inventor： V·卡米奈尼 ,  J·凯利 ,  P·埃杜苏米利 ,  O·范德斯特拉滕 ,  B·普拉纳萨蒂哈伦

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L21/76883 ,  H01L21/76882 ,  H01L23/53209 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5384

Abstract: 本发明涉及钴填充金属化的器件和方法。提供了通过钴填充金属化制造集成电路器件的器件和方法。一种方法例如包括：提供具有至少一个沟槽的中间半导体器件；在所述器件上形成至少一个半导体材料层；在第二层上沉积第一钴(Co)层；以及对所述器件执行退火回流工艺。还提供了中间半导体器件。中间半导体器件例如包括：形成在所述器件内的至少一个沟槽，所述沟槽具有底部和侧壁；设置在所述器件上的至少一个半导体材料层；设置在所述至少一个半导体材料层上的第一钴(Co)层，其中所述至少一个半导体材料层至少包括第一半导体材料和第二半导体材料。