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发明公开
垂直场效应晶体管顶部源极-漏极的缠绕接触体审中-实审

公开(公告)号：CN116601755A

公开(公告)日：2023-08-15

申请号：CN202180082374.0

申请日：2021-11-10

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 谢瑞龙 , E·米勒 , J·希勒 , 范淑贞 , 吴恒

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体结构及其制造方法，包括：半导体结构中的第一凹陷区域，第一凹陷区域限定具有第一正锥形轮廓的第一开口，作为第一正锥形轮廓的至少一部分，以第一锥角在朝向半导体结构的顶部源极/漏极区的方向上加宽第一开口；以及第一开口内的顶部源极/漏极接触体，顶部源极/漏极接触体围绕顶部源极/漏极区的表面。该半导体结构还包括保护衬垫，其位于顶部源极/漏极区的底部部分、与顶部源极/漏极区相邻的顶部间隔体和两个连续的顶部源极/漏极区之间的电介质材料之间的界面处，保护衬垫在接触体图案化期间保护顶部源极/漏极区。

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