公开(公告)号：CN117425956A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202280035584.9

申请日：2022-05-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： Y·米尼奥 ,  朴灿鲁 ,  陈学忠

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/528

Abstract: 覆盖第一金属线和第二金属线的，并且水平地在所述第一金属线与所述第二金属线之间顶盖层按顺序为后罩盖内衬、气隙和所述后罩盖内衬。嵌入电介质的上表面中的第一组金属线、嵌入所述电介质下方及所述电子组件上方的第二组金属线、覆盖所述第一组金属线的后罩盖内衬、剖开所述第一组金属线中的第一金属线且延伸到所述第二组金属线中的第二金属线且剖开所述第二组金属线的空腔。在嵌入电介质的上表面中的第一金属线中形成空腔，其中所述第一金属线和所述电介质由顶部盖层覆盖。

公开(公告)号：CN113661562A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202080027600.0

申请日：2020-03-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈学忠 ,  徐永安 ,  Y.米格诺特 ,  J.凯利 ,  L.克莱文格

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明涉及一种方法和半导体器件。芯轴形成在基板上，芯轴包括第一金属层。在衬底上形成与第一金属层相邻的第二金属层，第一金属层和第二金属层由间隔体材料隔开。

公开(公告)号：CN118140307A

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202280071008.X

申请日：2022-10-11

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： C·朴 ,  刘其俊 ,  S·齐格 ,  Y·米格诺特 ,  K·莫托亚马 ,  陈学忠

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体制造方法，其包括形成多个第一芯轴作为多层硬掩模的顶层，及在多个第一芯轴中的每个周围形成第一间隔物。去除多个第一芯轴并切割第一间隔物以形成多个第二芯轴。在多个第二芯轴中的每个周围形成第二间隔物，且形成包含多个第三芯轴的第一自对准图案。去除多个第二芯轴及第二间隔物且蚀刻多层硬掩模以将第一自对准图案转移到多层硬掩模的下层。形成第二自对准图案，其中第二自对准图案与第一自对准图案混合，以及将第一自对准图案和第二自对准图案蚀刻到导电金属层中。

公开(公告)号：CN117158123A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202280025298.4

申请日：2022-03-14

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈学忠 ,  王俊利 ,  范淑贞

IPC: H10B63/10

Abstract: 一种存储器设备包括两个相变存储器(PCM)单元和桥。第一PCM单元包括电输入和相变材料。第二PCM单元包括独立于第一PCM单元的电输入的电输入和另一相变材料。桥电连接到两个PCM单元。

公开(公告)号：CN116530019A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202180081023.8

申请日：2021-11-19

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 陈学忠 ,  M·C·希尔维斯特 ,  徐顺天 ,  刘其俊 ,  F·L·李 ,  杨智超 ,  Y·米格诺特 ,  T·斯坦达特

IPC: H03K19/18

Abstract: 本发明提出一种电阻切换RAM逻辑器件。该设备包括一对电阻切换RAM单元，该对电阻切换RAM单元可被独立地编程为至少低电阻状态(LRS)或高电阻状态(HRS)。电阻切换RAM逻辑器件可还包括电连接到该对电阻切换RAM单元的共享输出节点。可以根据电阻切换RAM单元中的每一个的经编程的电阻状态来确定逻辑输出。