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发明公开
具有共享外延层的堆叠垂直传输场效应晶体管逻辑门结构审中-实审

公开(公告)号：CN116547786A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202180082200.4

申请日：2021-10-26

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 康宗圣 , A·拉赫曼 , 李桃 , 范淑贞

IPC: H01L21/324

Abstract: 一种半导体结构包括两个或更多个垂直鳍、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的给定垂直鳍的底部部分的底部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的顶部部分的顶部外延层、围绕所述两个或更多个垂直鳍中的所述给定垂直鳍的中间部分的共享外延层以及接触所述底部外延层和所述顶部外延层的连接层，所述连接层被设置到所述两个或更多个垂直鳍的横向侧。

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