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公开(公告)号：CN106252233A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610107907.7
申请日：2016-02-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H03D7/16
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823412 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L29/1033 , H01L29/167 , H03D7/1441 , H03D7/1458 , H01L29/66795 , H01L29/66803 , H01L29/785 , H03D7/16
Abstract: 本发明提供了一种用于制造包括上部沟道注入晶体管的半导体器件的方法。方法包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍。一个或多个鳍包括沿着第一方向的第一区域和在第一区域的两侧上沿着第一方向的第二区域。掺杂剂浅注入鳍的第一区域的上部中而不注入第二区域中并且不注入鳍的第一区域的下部中。在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅极结构形成在鳍的第一区域上方，并且源极/漏极形成在鳍的第二区域上方，从而形成上部沟道注入晶体管。本发明实施例涉及高注入沟道半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN106252232A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610090342.6
申请日：2016-02-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/10
Abstract: 本发明的实施例提供一种用于制造半导体器件的方法，包括在衬底上方形成在第一方向上延伸的一个或多个鳍部。一个或多个鳍部包括沿着第一方向的第一区域和位于第一区域两侧沿着第一方向的第二区域。将掺杂剂注入鳍部的第一区域，但是未注入第二区域。栅极结构位于第一区域上方，并且在鳍部的第二区域上形成源极/漏极。本发明还提供了一种半导体器件及其包括该半导体器件的Gilbert单元混频器。
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公开(公告)号：CN103199085B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210192139.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/761 , H01L27/0928
Abstract: 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。
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公开(公告)号：CN102468346B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201110089947.0
申请日：2011-04-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/92
CPC classification number: H01L23/5223 , H01L22/34 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是有关于一种半导体元件，包含：一第一MOM电容器；一第二MOM电容器直接位于第一MOM电容器上方且垂直重叠在第一MOM电容器上，其中第一与第二MOM电容器均包含多个平行电容器手指；一第一与一第二端点电性耦合至第一MOM电容器；以及一第三与一第四端点电性耦合至第二MOM电容器。第一、第二、第三与第四端点设置于各自的晶圆的表面。藉此本发明的半导体元件可测量出特定金属层所造成的工艺变化，且可有效缩减MOM电容器设计工具所占据的晶片面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112151676B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202010955885.6
申请日：2014-11-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10N97/00 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。
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公开(公告)号：CN109860173A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811248683.7
申请日：2018-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 在一个实施例中，集成电路装置(IC)包括半导体基板、配置在半导体基板上的隔离区域以及主动区域、配置在主动区域上的栅极堆叠以及配置在主动区域中并且在第一方向上被插入栅极堆叠的源极以及漏极。主动区域至少部分地被隔离区域所围绕。主动区域的中间部分在第二方向上横向地延伸超过栅极堆叠，第二方向与第一方向正交。
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公开(公告)号：CN102623515B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201210016655.9
申请日：2012-01-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/94 , H01L21/334
CPC classification number: H01L29/66174 , H01L27/0808 , H01L27/0811 , H01L29/93 , H01L29/94
Abstract: 公开了用于MOS变抗器结构的装置和方法。提供了装置，包括限定在半导体衬底的一部分中的有源区；在有源区中延伸入半导体衬底中的掺杂阱区域；平行设置在掺杂阱区域中的至少两个栅极结构；设置在形成在栅极结构的相对两侧上的阱区域中的源极和漏极区域；形成在覆盖至少两个栅极结构并且电连接至少两个栅极结构的第一金属层中的栅极连接件；形成在第二金属层中并且电连接至源极和漏极区域的源极和漏极连接件；以及将在第二金属层中的源极和漏极连接件与形成在第一金属层中的栅极连接件隔离的层间介电材料。公开了用于形成该结构的方法。
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公开(公告)号：CN103199085A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210192139.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/761 , H01L27/0928
Abstract: 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。
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公开(公告)号：CN101320681B
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN200710165144.2
申请日：2007-10-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L21/8242 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/0629 , H01L29/7833
Abstract: 本发明涉及一种半导体结构的制造方法，包括：在一基材的一晶体管区与一电容器区中形成一介电层；在该介电层上形成一导电层；形成一光刻层以覆盖该导电层位于该晶体管区中的一第一区，并暴露出该导电层位于该电容器区中的一第二区；注入掺杂质以穿过未被该光刻层覆盖的位于该电容器区中的该第二区的该介电层和该导电层，以在该电容器区中形成一底部电极；以及图案化该介电层和该导电层以在该电容器区中形成一上方电极和一电容器介电层，并在该晶体管区中形成一栅极和一栅介电层。
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