公开(公告)号：CN112151676A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010955885.6

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周淳朴 ,  柯志欣 ,  邱博文 ,  郑兆钦 ,  吕俊颉 ,  黄崎峰 ,  陈焕能 ,  薛福隆

IPC: H01L49/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。

公开(公告)号：CN105679839A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410657766.7

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周淳朴 ,  柯志欣 ,  邱博文 ,  郑兆钦 ,  吕俊颉 ,  黄崎峰 ,  陈焕能 ,  薛福隆

IPC: H01L29/92 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。

公开(公告)号：CN112151676B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202010955885.6

申请日：2014-11-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周淳朴 ,  柯志欣 ,  邱博文 ,  郑兆钦 ,  吕俊颉 ,  黄崎峰 ,  陈焕能 ,  薛福隆

IPC: H10N97/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供了具有石墨烯结构的电容器、包括其的半导体器件及其形成方法。电容器包括具有多个第一石墨烯层的第一石墨烯结构。电容器还包括位于第一石墨烯结构上方的介电层。电容器还包括位于介电层上方的第二石墨烯结构，其中，第二石墨烯结构具有多个第二石墨烯层。