公开(公告)号：CN106409892A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201610555184.7

申请日：2016-07-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡汉旻 ,  黄崎峰 ,  陈家忠 ,  梁其翔 ,  李孝纯 ,  周硕君 ,  傅淑芳

IPC: H01L29/735 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L27/082

CPC classification number: H01L27/082 ,  H01L23/562 ,  H01L27/0207 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0808 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/1008 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/42304 ,  H01L29/735

Abstract: 一种双极结型晶体管包括：发射极、基极接触件、集电极、以及浅沟槽隔离件。基极接触件具有两个基极指状件，两个基极指状件形成角部以接收发射极。集电极具有沿着基极接触件的基极指状件延伸的两个集电极指状件。浅沟槽隔离件设置在发射极和基极接触件之间，以及基极接触件和集电极之间。本发明还提供了双极结型晶体管布局。

公开(公告)号：CN103199085A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210192139.1

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄崎峰 ,  陈家忠 ,  梁其翔 ,  李孝纯

IPC: H01L23/552 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0928

Abstract: 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。

公开(公告)号：CN103199085B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210192139.1

申请日：2012-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄崎峰 ,  陈家忠 ,  梁其翔 ,  李孝纯

IPC: H01L23/552 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L21/761 ,  H01L27/0928

Abstract: 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。

公开(公告)号：CN115565948A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210247045.3

申请日：2022-03-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡行易 ,  蔡辅桓 ,  陈家忠 ,  李孝纯 ,  黄崎峰 ,  吕卓颖 ,  梁其翔

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构。根据本发明的一些实施例，一种半导体结构包含栅极结构、源极区、漏极区，及隔离结构。所述栅极结构包含第一部分、第二部分，及第三部分。所述第一部分在第一方向上延伸，且所述第二部分及所述第三部分在第二方向上延伸。所述第二部分及所述第三部分经放置于所述第一部分的相对端处。所述源极区及所述漏极区被所述栅极结构分开。所述隔离结构环绕所述栅极结构、所述源极区及所述漏极区。所述第一部分具有第一侧壁，所述第二部分具有第二侧壁，且所述第三部分具有第三侧壁。所述第一侧壁、所述第二侧壁及所述第三侧壁是平行于所述第一方向且彼此对准以形成直线。

公开(公告)号：CN104051435B

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201310241829.6

申请日：2013-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李孝纯 ,  梁其翔 ,  黄崎峰

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。

公开(公告)号：CN104051435A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201310241829.6

申请日：2013-06-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李孝纯 ,  梁其翔 ,  黄崎峰

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/522 ,  H01L23/5227 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了半导体器件。半导体器件包括：形成在衬底上并被配置为通过频率电流工作的电感器；以及配置在电感器和衬底之间的伪金属部件，伪金属部件的第一宽度小于2倍的与频率有关的趋肤深度。本发明还提供了具有伪金属部件的电感器结构及方法。