-
-
公开(公告)号：CN113470953A
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202110082578.6
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01F38/08
Abstract: 一种电感装置包括绝缘层、下磁性层及上磁性层，绝缘层、下磁性层及上磁性层被形成为使得绝缘层不会在电感装置的外边缘或翼处将下磁性层与上磁性层隔开。下磁性层与上磁性层在电感装置的绝缘层及导体周围形成连续的磁性层。通过形成穿过上磁性层的开口来提供漏磁路径。可通过半导体工艺形成穿过上磁性层的开口，所述半导体工艺与用于形成绝缘层的半导体工艺(例如旋转涂布)相比具有相对较高的精度及准确度。这会减少电感装置内以及从电感装置到电感装置的漏磁路径变化。
-
公开(公告)号：CN111128928A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911047763.0
申请日：2019-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L21/50
Abstract: 制造半导体器件的方法包括：在一个或多个芯片的表面上形成焊料层。在一个或多个芯片中的每个上的焊料层上方放置盖。施加热量和压力以熔化焊料层，并将每个盖附接至相应的焊料层。焊料层具有≥50W/mK的热导率。本发明的实施例还涉及半导体器件。
-
公开(公告)号：CN109860173A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811248683.7
申请日：2018-10-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 在一个实施例中，集成电路装置(IC)包括半导体基板、配置在半导体基板上的隔离区域以及主动区域、配置在主动区域上的栅极堆叠以及配置在主动区域中并且在第一方向上被插入栅极堆叠的源极以及漏极。主动区域至少部分地被隔离区域所围绕。主动区域的中间部分在第二方向上横向地延伸超过栅极堆叠，第二方向与第一方向正交。
-
公开(公告)号：CN103199085A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210192139.1
申请日：2012-06-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L27/02
CPC classification number: H01L21/823892 , H01L21/761 , H01L27/0928
Abstract: 一种位于半导体器件中的隔离结构吸收电子噪声，并且防止衬底漏电流到达其它器件和信号。该隔离结构提供双深N阱（“DNW”）隔离结构，DNW隔离结构围绕RF（射频）器件或其它电子噪声源。该DNW隔离结构延伸到衬底中到达至少大约2.5μm的深度处并且可以连接至VDD。在一些实施例中，还提供了P+保护环并且P+保护环设置在双DNW隔离结构内部、外部或双DNW隔离结构之间。本发明还提供了降低高压半导体器件上的RF噪声的双DNW隔离结构。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107425066B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710299984.1
申请日：2017-04-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本发明的实施例公开了一种具有低阈值电压的FinFET变容器及其制造方法。本发明公开的方法包括提供位于衬底上方且具有沟道区、源极区和漏极区的半导体层。该方法包括在半导体层中形成阱以具有第一掺杂剂、以及将第二掺杂剂注入到阱中。第一掺杂剂和第二掺杂剂为相反的掺杂类型。阱的第一部分具有的第二掺杂剂的浓度高于第一掺杂剂的浓度。阱的位于第一部分下面的第二部分具有的第一掺杂剂的浓度高于第二掺杂剂的浓度。该方法还包括在沟道区上方形成栅极堆叠件、以及在源极区和漏极区中形成源极部件和漏极部件。阱的第一部分电连接源极部件和漏极部件。
-
公开(公告)号：CN109841664A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201810475239.2
申请日：2018-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06
Abstract: 一种晶体管包括衬底上的栅极结构，其中衬底包括栅极结构下方的信道区。晶体管还包括衬底中的源极，其邻近栅极结构的第一侧。晶体管还包括衬底中的漏极，其邻近栅极结构的第二侧，其中栅极结构的第二侧相对于栅极结构的第一侧。晶体管还包括邻近源极的第一淡掺杂漏极。晶体管还包括邻近漏极的第二淡掺杂漏极区。晶体管还包括邻近第一淡掺杂漏极区的掺杂延伸区。
-
公开(公告)号：CN107452737A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201610943990.1
申请日：2016-11-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/085
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823871 , H01L21/823878 , H01L27/0207 , H01L27/092 , H01L27/0924 , H01L29/1041 , H01L29/7835 , H01L29/785 , H03K3/0315 , H01L27/085
Abstract: 本发明实施例提供一种半导体装置，包括由衬底延伸的鳍片、第一源极/漏极特征、第二源极/漏极特征以及在鳍片上的栅极结构。栅极结构以及第一源极/漏极特征之间的距离不同于栅极结构以及第二源极/漏极特征之间的距离。
-
公开(公告)号：CN107437558A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201710299656.1
申请日：2017-05-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/0733 , H01L27/14614 , H01L27/1463 , H01L27/14689 , H01L29/66174 , H01L29/93 , H01L29/0649 , H01L29/42356
Abstract: 一种低噪声装置包括隔离特征，所述隔离特征位于衬底中。所述低噪声装置进一步包括栅极堆叠，所述栅极堆叠位于所述衬底中的沟道的上方。所述栅极堆叠包括栅极介电层以及栅极电极，所述栅极介电层延伸于所述隔离特征的一部分的上方，所述栅极电极位于所述栅极介电层的上方。所述低噪声装置进一步包括电荷陷获减少结构，所述电荷陷获减少结构相邻于所述隔离特征。所述电荷陷获减少结构被配置用以减少与所述隔离特征与所述沟道之间的界面相邻的电荷载流子的数目。
-
公开(公告)号：CN113470953B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110082578.6
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01F38/08
Abstract: 一种电感装置包括绝缘层、下磁性层及上磁性层，绝缘层、下磁性层及上磁性层被形成为使得绝缘层不会在电感装置的外边缘或翼处将下磁性层与上磁性层隔开。下磁性层与上磁性层在电感装置的绝缘层及导体周围形成连续的磁性层。通过形成穿过上磁性层的开口来提供漏磁路径。可通过半导体工艺形成穿过上磁性层的开口，所述半导体工艺与用于形成绝缘层的半导体工艺(例如旋转涂布)相比具有相对较高的精度及准确度。这会减少电感装置内以及从电感装置到电感装置的漏磁路径变化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.031 seconds)
