公开(公告)号：CN101320681B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200710165144.2

申请日：2007-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊杰 ,  黄崎峰 ,  陈俊宏 ,  赵治平 ,  陈冠中

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及一种半导体结构的制造方法，包括：在一基材的一晶体管区与一电容器区中形成一介电层；在该介电层上形成一导电层；形成一光刻层以覆盖该导电层位于该晶体管区中的一第一区，并暴露出该导电层位于该电容器区中的一第二区；注入掺杂质以穿过未被该光刻层覆盖的位于该电容器区中的该第二区的该介电层和该导电层，以在该电容器区中形成一底部电极；以及图案化该介电层和该导电层以在该电容器区中形成一上方电极和一电容器介电层，并在该晶体管区中形成一栅极和一栅介电层。

公开(公告)号：CN101320681A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200710165144.2

申请日：2007-10-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴俊杰 ,  黄崎峰 ,  陈俊宏 ,  赵治平 ,  陈冠中

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L21/82 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L29/7833

Abstract: 本发明涉及一种电容器及半导体结构的制造方法，该电容器制造方法包括下述步骤：首先在基材上形成一介电层；再在该介电层上形成一导电层；在形成该介电层之后，注入掺杂质以穿过该介电层和导电层中的至少一个，以在介电层下方形成一导电区，其中该导电层为电容器的上方电极，而导电区则为电容器的底部电极。